TY - JOUR ID - TI - The Influence of Annealing and Doping by Copper on Electrical Conductivity of CdTe Thin Films تأثير التلدين والتشويب بالنحاس فى التوصيلية الكهربائية لأغشية CdTeالرقيقة AU - Bushra. K.H.Al-Maiyaly بشرى كاظم حسون الميالي PY - 2015 VL - 28 IS - 1 SP - 33 EP - 42 JO - Ibn Al-Haitham Journal For Pure and Applied Sciences مجلة ابن الهيثم للعلوم الصرفة والتطبيقية SN - 16094042 25213407 AB - In this research CdTe and CdTe: Cu thin films with different doping ratios (1, 2, 3, 4 and5) %, were deposited by thermal evaporation technique under vacuum on glass substrates atroom temperature in thickness 450 nm.The measurements of electrical conductivity (σ), and activation energies (Ea1, Ea2), havebeen investigated on (CdTe) thin films as a function of doping ratios, as well as the effect ofthe heat treatment at (373, 423, and 473) K° for one hour on these measurements werecalculated and all results are discussed.The electrical conductivity measurements show all films prepared contain two types oftransport mechanisms, and the electrical conductivity (σ) increases whereas the activationenergy (Ea) would decrease as the increasing (Cu) percentage in the sample except 5%. It isalso noticed that the electrical conductivity (σ) showed a decreasing trend with increasingannealing temperature, while the activation energies (Ea1, Ea2) showed opposite trend, wherethe activation energies increased with annealing temperature. Also the electrical conductivityvalues was found increased about 3- 4 orders when pure CdTe films are doped with (3, 4) %Cu and annealing at 473 K°.

في هذا البحث حضرت اغشية CdTe الرقيقة غير المشوبة والمشوبة بالنحاس بنسب تشويب مختلفة (1,2,3,4, 5) %بتقنية التبخير الحراري بالفراغ على ارضيات من الزجاج وبسمك 450nm عند درجة حرارة الغرفة . وحسبتقياسات التوصيلية الكهربائية (σ),وطاقات التنشيط(Ea1, Ea2) لاغشية (CdTe)دالة لتغيرنسب التشويب.وكذلك حسب تاثير المعاملة الحرارية بدرجات (373, 423, and 473) K° ومدة ساعة واحدة على هذه القياسات ونوقشت جميع هذه النتائج.وقد أظهرت قياسات التوصيلية الكهربائية ان لكل الاغشية المحضرة آليتين للانتقال الالكتروني ولوحظ زيادة التوصيلية الكهربائية مع نقصان طاقات التنشيط بزيادة نسبة (Cu) بالانموذج ماعدا النسبة 5%. كما لوحظ نقصان التوصيلية الكهربائية مع زيادة درجات حرارة التلدين ، بينما أظهرت طاقات التنشيط سلوكاُ معاكساُ,إذ أزدادت طاقات التنشيط مع زيادة درجة حرارة التلدين. كذلك وجد ان قيم التوصيلية الكهربائية تزداد بمقدار 3- 4 مراتب عند تطعيم اغشية CdTe النقية بنسبة (3, 4) % Cu وتلدينها عند درجة حرارة 473 K°. ER -