TY - JOUR ID - TI - Simulation of Resistance Modulation in MOSFETs محاكاة نموذج المقاومة في تقنية MOSFETS AU - Mohammed A. Abdala محمد عبد الله المشهداني PY - 2007 VL - 11 IS - 2 SP - 176 EP - 187 JO - Journal of Engineering and Sustainable Development (JEASD) مجلة الهندسة والتنمية المستدامة SN - 25200917 25200925 AB - Simulation results for the resistance modulation in metal-semiconductor field effect transistors (MOSFETs) are presented. The numerical simulations show that the resistance fluctuation does increase as the trap area is reduced, passes through a maximum and finally decrease towards zero. The comparison of the simulated results with typical experimental Random Telegraph Signal (RTS) data shows an overall good agreement.

النتائج التحليلية للمعادلات الخاصة بحساب مقدار التغير في قيمة المقاومة لترانزستور تأثيري المجال نوع (MOSFET) تم عرضها في هذا البحث. إن النتائج التحليلية أظهرت زيادة في مقدار التغير في المقاومة مع تقليل مساحة الشوائب في المنطقة الفعالة، بعدها يصل مقدار التغير في المقاومة إلى قيمة عظمى وأخيراً يقل إلى أن يصل إلى الصفر. أن مقارنة النتائج التحليلية (RTS) مع النتائج العملية المتوفرة تبين توافق جيد بينهما. ER -