@Article{, title={Theoretical Treatment for the Ion Sputtering Process from Quantum Dot Surface معالجة نظرية لآيون مقلوع بالسبترة من سطح نقطة كمية}, author={J. M. Al-Mukh and A. R. Ahmed جنان مجيد المخ و أباذر رحمن أحمد}, journal={Basrah Journal of Science (Bas J Sci) مجلة البصرة للعلوم}, volume={33}, number={2A}, pages={1-10}, year={2015}, abstract={In this study, simple theoretical treatment is presented to calculate the neutralization and excitation probabilities throughout the ground state channel and the throughout the excited state channel for atom sputtered from quantum dot surface. The system energy levels considered in our treatment are just the levels lying within the energy window. The Hamiltonian that describes the system is written taking into account the ground and the excited states of the sputtered atom as well as the electron scattering process (i.e. the electronic excitation) within the quantum dot energy band levels. We get use of Heisenberg equations of motion to derive the equations of motion that describe the system. The law of charge conservation is investigated. The set of related equations are solved numerically. The effect of electronic excitation within the quantum dot band energy is highlighted and disscused.

في هذه الدراسة تم تقديم معالجة نظرية لحساب احتمالية التعادل والتهيج خلال قناتي الحالة الأرضية والمثارة لذرة مقلوعة (خلال عملية السبترة) من سطح نقطة كمية. في معالجتنا تم الأخذ بنظر الاعتبار مستويات النظام التي تقع ضمن نافذة الطاقة. كتب الهاملتونين الذي يصف النظام بحيث أخذ بنظر الاعتبار المستويين الأرضي والمثار للذرة المقلوعة بالإضافة إلى عملية استطارة الالكترون (بمعنى الإثارة الالكترونية) في مستويات حزمة الطاقة لسطح النقطة الكمية. تم الاستفادة من معادلات هايزنبرك للحركة لإشتقاق معادلة الحركة التي تصف النظام، حيث تم فحص قانون حفظ الشحنة. كما تم حل معادلات الحركة عددياً. كذلك ناقشنا وسلطنا الضوء على تأثير الإثارة الالكترونية خلال حزمة الطاقة لسطح النقطة الكمية.} }