TY - JOUR ID - TI - Structural and optical properties of CdO and CdO0.99Cu0.01 thin films prepared by pulsed laser deposition technique الخصائص التركيبية والبصرية لأغشيه CdO و CdO0.99Cu0.01و المحضرة بتقنية ترسيب الليزر النبضي AU - Eman K. Hassan إيمان كريم حسن PY - 2015 VL - 13 IS - 28 SP - 170 EP - 178 JO - Iraqi Journal of Physics المجلة العراقية للفيزياء SN - 20704003 26645548 AB - Structural and optical properties of CdO and CdO0.99Cu0.01 thin films were prepared in this work. Cadmium Oxide (CdO) and CdO0.99Cu0.01semiconducting films are deposited on glass substrates by using pulsed laser deposition method (PLD) using SHG with Q-switched Nd:YAG pulsed laser operation at 1064nm in 6x10-2 mbar vacuum condition and frequency 6 Hz. CdO and CdO0.99Cu0.01 thin films annealed at 550 C̊ for 12 min. The crystalline structure was studied by X-ray diffraction (XRD) method and atomic force microscope (AFM). It shows that the films are polycrystalline. Optical properties of thin films were analyzed. The direct band gap energy of CdO and CdO0.99Cu0.01 thin films were determined from (αhυ)1/2 vs. photon energy curve and found to be 2.3 eV for CdO thin film, comparing with that the CdO0.99Cu0.01film which found to be 2.2eV. The electrical measurements shows that the conductivity and mobility of the charge carriers increase when Cu doped CdO.

في هذا البحث تمت دراسة الخصائص التركيبية و البصرية للأغشية الرقيقةCdO و CdO0.99Cu0.01. حيث تم ترسيب أغشية أُكُسيد الكادميوم (CdO) و CdO0.99Cu0.01على ركائز من الزجاج بواسطة تقنية ترسيب الليزر النابضي (PLD) باستخدام SHG مع Q-switched ليزر نبضي nm 1064 في6x10-2 mbar حالة الفراغ وبتردد 6 هيرتز. وتم تلدين الاغشية المحضرة CdO و CdO0.99Cu0.01عند درجة حرارة 550 درجة مئوية و لمدة 12 دقيقة. تمت دراسة البنية البلورية لحيود الأشعة السينية ( XRD ) و مجهر القوة الذرية (AFM) مما دل على ان نمو الاغشية المحضره بشكل متعدد التبلور. كما تم تحليل الخصائص البصرية للأغشية الرقيقة وتحديد فجوة الطاقة المباشرة للاغشيةCdo و CdO0.99Cu0.01 من رسم العلاقه بين (αhυ)1/2 مقابل منحنى طاقة الفوتون و وجدت ان فجوة الطاقة مساوية الىeV 2.3 لأغشية CdO، مقارنة مع لأغشيةCdO0.99Cu0.01 والتي وجدت انها مساويه الى eV2.2. كما بينت القياسات الكهربائية ان التوصيلية وتحركية نواقل الشحنه تزداد في حالة تشويب اوكسيد الكادميوم CdO بمادة النحاس مادة النحاس .Cu ER -