@Article{, title={Synthesized Cu (In, Ga) Se2 (CIGS) thin films and implementation as the active light absorbing material in photovoltaic devices (PVs) تحضير الغشاء(CIGS) CuInGaSe2 كطبقة إمتصاص الضوء لنبائط الفولطاضوئية}, author={Omar A. Ali and Wasan R. Saleh and Vikas V. Reddy and Jackson Stolle and Cao Meng and Brian A. Korgel}, journal={Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا}, volume={33}, number={9 Part (B) Scientific}, pages={1753-1760}, year={2015}, abstract={This review article summarizes our research focused on Cu(In, Ga)Se2 (CIGS) nanocrystals, including their synthesis and implementation as the active light absorbing material in photovoltaic devices (PVs). CIGS thin films were prepared by arrested precipitation from molecular precursors consisting of CuCl, InCl3, GaCl3 and Se metal onto Mo/soda-lime glass (SLG) substrates. We have sought to use CIGS nanocrystals synthesized with the desired stoichiometry to deposit PV device layers without high temperature processing. This approach, using spray deposition of the CIGS light absorber layers, without high temperature selenization, has enabled up to 1.5 % power conversion efficiency under AM 1.5 solar illumination. The composition and morphology of CIGS thin films were studied using energy dispersive spectroscopy (EDS) and scanning electron microscopy (SEM), respectively. X-ray diffraction (XRD) studies show that the structural formation of CIGS chalcopyrite structure.

حضر الحبر النانوي(CIGS) CuInGaSe2 ليكون طبقة إمتصاص الضوء لخلية شمسية وذلك بتفاعل عناصر النحاس والأنديوم والكاليوم والسلينيوم ذات النقاوة العالية في درجة حرارة 240 oC لمدة 30 دقيقة في بيئة من غاز النتروجين ومفرغة من الهواء، بعد ذلك تم ترسيب الأغشية على أرضيات من زجاج الـ SLG مغطاة بطبقة من المولبدينوم ،عملية الترسيب تمت بطريقة Spray – Coating))). اظهرت دراسة خواص تيار- جهد للمفرق (Mo/CIGS/CdS/ ZnO/ITO) بان الكفاءة 1.561% بسمك 500 نانومتر وتركيز30 mg/ml .} }