TY - JOUR ID - TI - Fabrication of Laser Detectors using Ge wafer Doped with Sb AU - Ziad T. Al-Dhan AU - Samar Y. Al-Dabagh AU - Thalfaa R. Al-Hakeem PY - 2016 VL - 19 IS - 4 SP - 1 EP - 7 JO - Al-Nahrain Journal of Science مجلة النهرين للعلوم SN - 26635453 26635461 AB - Germanium antimony (Ge:Sb) thin films have been fabricated by thermal evaporation system deposition at atmospheric pressure between (5.8x10-6 to 7.5x10-6) mbar. The (Ge:Sb) thin films then exposure to Nd:YAG laser with 1064μm wavelength at different energy densities (100,200) mj/cm2. XRD analysis show that Germanium antimony thin films are polycrystalline and the full width at half maximum (FWHM) increase as laser energy densities increases. Photocurrent and quantum efficiency of the detector increases as the laser energy densities increases.

في هذه الد ا رسة، حضرت أغشيه الجرمانيوم المشوبةبالانتموني في منظومة الترسيب التبخير الح ا رري عند ضغط6-01 ( ملي بار. عرضت الاغشية ×5.8-6-01× جوي ) 8.5لليزر نيدميوم ياك ذي الطول الموجي 0161 نانو متر عند. كثافة طاقات ليزرية مختلفة ) 011 و 011 ( ملي جول/سم 0اظهرت النتائج تحليل حيود الاشعة السينية ان الاغشيةجميعها متعددة التبلور. ان زيادة طاقة الليزر تودي الى زيادة.FWHMان تيار والكفاءة الكمية للكاشف يزداد بزيادة كثافة طاقةالليزر. ER -