TY - JOUR ID - TI - Theoretical Model of Charge Transport Processes In Metal/ Semiconductor Interfaces أنموذج نظري لعملية انتقال الشحنة لنظام سطح معدن/ شبه موصل AU - Hadi,J.,M.,Al-Agealy ھادي جبار مجبل العكیلي PY - 2012 VL - 8 IS - 3 - part 1 SP - 210 EP - 224 JO - Academic Science Journal مجلة العلوم الاكاديمية SN - 83732222 25189255 AB - The dynamics of charge transport across metal/semiconductor interface system are studied using a model that derives according to the quantum theory. We suppose continuum level model for donor state |φ_↓ D> and acceptor state |φ_↓ A> . Marcus– Hush semi classical theory adapted to evaluated the reorientation free energy. The rate constant of charge transfer are calculated with assume a continuum level model .Our result for calculation of rate constant of charge transfer show a good agreement with experimental data. the ratio of rate thus agreement with result ≈1 [28] ,indicated the system Au/ GaAs is active media for applied in devices technology according with Au/ InAs system.

حركیة انتقال الشحنة عبر نظام سطح معدن /شبه موصل درس باستعمال أنموذج اشتق وفقا لنظریة الكم.افترضنا أنموذج الحالات المستمرة لكل من حالة الواھب وحالة المستقبل. نظریة ماركوس –ھاش شبه الكلاسیكیة تبنیت لحساب الطاقة الحرة لإعادة الترتیب .معدل انتقال الشحنة حسبت بافتراض الحالات المتصلة للطاقة .نتائج حسابات معدل انتقال الشحنة أظھرت توافقا جيدا مع الحسابات العملية .نسبة المعدل مقاربة للمصدر [ 28 ] وھذا یشیر إلى إن نظام Au/ GaAs وسط فعال للتطبیق في تكنولوجیا أجھزة النانو مقارنة بنظام .Au/ InAs ER -