@Article{, title={Etch of Si-wafer using CF3Br plasma and KOH solution حفر السليكون باستعمال بلازما CF3Br والمحلول الكيميائي KOH}, author={Intessar K.abd انتصار كاظم عبد}, journal={Academic Science Journal مجلة العلوم الاكاديمية}, volume={8}, number={3 - part 2}, pages={400-406}, year={2012}, abstract={In this study wet etching was used to etch Si-wafers by KOH solution at different concentrations .The results showed that decreasing of the etching rate at higher KOH concentration produces smooth surface. On the other hand ,it has been observed that the etching rate increases by using CF3Br plasma and lower KOH concentrations producing rough surface.

في هذا البحث تم استخدام الحفر الرطب لعينات السيليكون باستخدام المحلول الكيميائي KOH باختلاف التراكيز، لقد تم الحصول على معدل حفر قليل باستخدام التركيز العالي للمحلول KOH تم ملاحظة نعومة سطح العينات المحفورة، كما لاحظنا حصول زيادة في معدل الحفر لعينات السيليكون عند استخدام بلازما CF3Br واستخدام التركيز الواطئ لمحلول KOH مع ملاحظة خشونة حاصلة على سطح العينات المحفورة.} }