TY - JOUR ID - TI - Implantation profile for low energy positrons in diamond منحني الاستنبات للبوزترونات واطئة الطاقة في عنصر الماس AU - Sabah Mahmuoud Aman Allah صباح محمود امان الله PY - 2015 VL - 4 IS - 20 SP - 105 EP - 124 JO - Al-Qadisiyah Journal of Pure Science مجلة القادسية للعلوم الصرفة SN - 19972490 24113514 AB - In this paper, Implantation profile I(z,E) and the penetration depths has been evaluated by employing a distribution function of Valkealahti-Nieminen for Diamond of differentthicknesses:0.2,0.4,0.6,0.8,1.2,1.4,1.6 μm. The obtained results reveals that the Makhov,s profile decreased with increase the energy of the incident positron, and the implantation profile depths increased with an increase the energy of the incident positron.

في هذا البحث تم دراسة منحني الاستنبات I(z,E)واعماق الاختراق للبوزترونات واطئة الطاقة لعنصر الماس باستخدام دالة توزيع فلكلهتي ونيمنين ولا سماك مختلفة 0.2, 0.4,0.6,0.8,1,1.2,1.4,1.6 مايكرومتر وقد اظهرت النتائج المستحصلة ان منحني مايكوف يتناقص مع زيادة طاقة البوزترونات الساقطة الا ان عمق المنحني يزداد مع زيادة طاقة البوزترونات الساقطة. ا ER -