TY - JOUR ID - TI - High-Quality Aligned GaN/ZnO Nanowires Grown by Thermal Evaporation for UV Detector Application النانووواير عالي الجودة للكاليوم نترايد/زنك اوكسايد والمحضر بطريقه التبخير الحراري لتطبيقات كواشف الاشعه الفوق البنفسجيه AU - Asmiet Ramizy عصمت رمزي عبد الغفور PY - 2017 VL - 9 IS - 1 SP - 97 EP - 104 JO - Journal of Kufa - physics مجلة الكوفة للفيزياء SN - 20775830 23126671 AB - Gallium nitride (GaN) nanowires (NWs) were grown on Zinc oxide/silicon (ZnO/Si) (1 substrate(100) by thermal evaporation method. The magnetron sputtering technique was used to deposit ZnO thin film. High-density nanostructured GaN was formed as shown in the scanning electron microscopy image. X-ray diffraction showed that ZnO/Si and GaN films had a hexagonal wurtzite structure. Photoluminescence (PL) of ZnO/Si showed strong peak at 382.84 nm (3.23 eV),while PL of GaN/ZnO/Si NWs exhibited a strong band-edge emission at approximately 338.94 nm (3.65 eV), which belongs to GaN NWs. Broadening of the energy bandgap compared with the growth of GaN (3.45 eV) could have occurred because of nanocrystalline structure quantum confinement effects. Raman spectrum of ZnO/Si nanocrystalline thin films showed a band located at 579 cm−1 that can correspond to the A1(TO) mode. Furthermore, the Raman bands at approximately 520 cm−1 correspond to the first-order transverse optical (1TO) mode of the c-Si substrate. For GaN/ZnO/Si NWs, Raman-active optical phonons are assigned to 568 cm−1 because of E2 (high). The I–V characteristics of GaN/ZnO/Si indicated the excellent ultraviolet photoresponse.

تم تحضير الكاليوم نتريد نانو واير على طبقه الزنك اوكسايد باستخدام طريقه التبخير الحراري . تم ترسيب افلام الزنك اوكسايد باستخدم طريقه الترذيذ .اظهرت نتائج المجهر الالكتروني تشكيل كثيف ذات تراكيب نانويه على سطح الكاليوم نتريد .اظهرت نتائح حيود الاشعه السينيه ان أ لكاليوم نترايد/زنك اوكسايد كلاهما يمتلكان تركيب سداسي.بينت دراسه التلؤلؤيه الضوئيه للزنك اوكسايد/سليكون ظهور قمه ذات شده عاليه عند 382.84 نانوميتر (3.23الكترون فولت) وكذلك اظهرت ان الكاليوم نتريد/ للزنك اوكسايد/سليكون يتملك حافه حزمه انبعات حاده عند 338.94نانوميتر (3.65الكترون فولت) والتي تعود للتركيب الكاليوم نتريد نانو واير.اظهرت النتايج ان هناك تعريض في فجوه الطاقه البصريه لكاليوم نتريد ذات التركيب الناونويه مقارنه بالتركيب الحجمي الاعتيادي والذي يعود سببه الى تاثير الحصر الكمي عند الابعاد النانويه. ايضا بينت نتايج فحص رامان ظهور انماط اهتزازيه عند 579,520,568 سم-1تابعه لى للزنك اوكسايد/سليكون بنمط(A1(TO) ولسيلكون بنمط ((1TO والكاليوم نتريد/ للزنك اوكسايد/سليكون بنمط (E2(High)). اشارت دراسه الخصائص الكهربائيه ان الفلم المحضر يبدي استجابيه جيده كمتحسس للاشعه فوق البنفسجيه. ER -