@Article{, title={STRUCTURAL, PHOTO-FUNCTIONAL AND SEMICONDUCTOR PROPERTIES OF COPPER OXIDE THIN FILMS PREPARED BY DC REACTIVE METHOD UNDER VARIOUS THICKNESSES دراسة تأثير تغيير سمك الفلم على الخصائص الكهربائية والضوئية لغشاء Cu2O بطريقة الترسيب الفيزيائية}, author={Anmar H. Shukur انمار حسن شكر}, journal={KUFA JOURNAL OF ENGINEERING مجلة الكوفة الهندسية}, volume={9}, number={1}, pages={133-142}, year={2018}, abstract={Cuprous oxide (Cu2O) has been formed on glass substrates by dc reactive magnetron sputtering method, whereas pure target of the solid copper was sputtered with a mixture of plasma for argon gas and oxygen gas was used to form these films. Under vacuum chamber pressure of 1.2×10-5 Pa, thin film thickness was changed from 100 nm to 300 nm while other deposition parameters were fixed. The influence of changing the thickness of thin films on the electrical and the optical properties was investigated in this study. X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), X-ray Diffractions system XRD, Atomic Force Microscopy (AFM), hall effect measurement system, UV–VIS spectrophotometer were employed to determine the characteristic of the deposited thin films. Thin film of 200 nm has observed low resistivity of 60.63 Ω cm and direct band gap of 2.5eV. This study has demonstrated that the thickness has direct influence on electrical and optical properties.

بار و قذف 1.5×10- 5 باستخدام طريقة الترسيب الفيزيائية ,حيث تم وضع ضغط الجهاز على CU2O تم تكوين غشاء مع بلازما متكونة من غاز الأوكسجين و الاركون وتكوين الفلم على شرائح زجاجية . وبعد ذلك تم فحص CUذرات ,)اما بالنسبة لتركيب مكونات الأغشية تم استخدام XRD التركيب البلوري للأفلام بواسطة جهاز رسم حيود الأشعة السينية ( ) ولفحص الخواص الكهربائية مثل تركيز الناقلات والمساحية للسطح والمقاومة XPS تقنية الأطياف الضوئية للأشعة السينية ( الكهربائية قد استخدم جهاز تأثير طاقة الفجوة ( .( أما في ما يخص قياس فجوة فقد استخدم HALL EFFECT SYSTEM UV جهاز نظام الطيف الضوئي نانومتر. جهاز مجهر القوة 900 نانومتر إلى 300 تحت طول موجي يتراوح ما بين –VIS الذرية ( استخدم لقياس خشونة الأغشية. AFM) 200 نانومتر. زيادة السمك إلى 300نانومتر الى 100 بطبقات مختلفة السمك تتراوح من CU2Oتم تكوين الأغشية الرقيقة 60. نانومتر تبين تحسن التركيب البلوري بشكل ملحوظ مع انخفاض كبير للمقاومة الكهربائية حيث انخفضت الى اوم/سم 63 وضيق في فجوة الطاقة المباشرة. كان محصلة هذا البحث هي تكوين غشاء رقيق من أفلام بواسطة تغيير سمك CU2O الفلم و دراسة التأثير المباشر لتغير السمك على الخواص الكهربائية والضوئية للأغشية الرقيقة لهذه الأفلام.} }