TY - JOUR ID - TI - The Effect of Si/SiO2 Interface on the Electrical Properties of MOS Device with Nano Layer Silicon Dioxide Grown by Induced Laser Oxidation تأثير السطح البيني Si/SiO2 على الخواص الكهربائية في نبيطةMOS ذات غشاء ثنائي اوكسيد السليكون النانوي، المنمى بطريقة الاكسدة المحتثة بالليزر AU - Mohand M. Alyass مهند مؤيد الياس AU - Laith M. Al- Taan ليث محمد الطعان PY - 2017 VL - 26 IS - 1A SP - 101 EP - 112 JO - Rafidain journal of science مجلة علوم الرافدين SN - 16089391 AB - In this work a MOS device was fabricated with nano dioxide layer on silicon using a laser induced oxidation technique, at 600oC temperature for different times oxidation (5-20) min.FTIR spectrums were studied and analyzed for the Si (111) substrate, the Si/SiO2 interface and the SiO2 layer. The results gave a characteristic sharp peak presence at the wave number (1079 cm-1) corresponding to the level of elongation vibration (Si-O-Si) which consists the required oxide.The electrical measurement results show the response of the MOS device for the (C-V) and (I-V) characteristics. The capacity was inhomogeneous at the interface between insulator and semiconductor because of the (ac) signal harmony, as an extra-capacity created depending on the frequency, while it does not appear at frequency (f >5kHz). This determines the nature of the electronic response of the device. The different times for the oxide configuration gives a different value for the capacity that's where the capacity increases with the time of laser induction oxidation increase. The oxide thickness has an inverse relationship with the time of laser induction of the oxidation.The (I-V) characteristics show the MOS devices fabricated with oxidation time at (5,10) min has leakage current started after 0.6 volt, where the devices which oxidized for 15 min has leakage current at 0.4 volt, but the leakage current begun at 0.2 volt for the devices with 20 min oxidation time.

صُنعت في هذا البحث نبيطةMOS ذات غشاء نانوي من ثنائي أوكسيد السيلكون باستخدام تقنية الأكسدة بالحث الليزري، وعند درجة حرارة 600oC، ولأزمنة مختلفة (5-20)min وتمت دراسة طيف الارضية السيلكونية Si(111) وطيف السطح البيني Si/SiO2 وكذلك طيف الغشاء SiO2 خلال تحليل طيف الامتصاص بواسطة مطياف FTIR.بينت النتائج، وجود قمة حادة عند العدد الموجي (1079cm-1) تقابل اهتزاز الاستطالة في مستوي (Si-O-Si) حيث يكون الاوكسيد المطلوب. اظهرت القياسات الكهربائية استجابة النبيطة لخصائص (C-V) و(I-V)، وأن السعة غير متجانسة عند السطح البيني بين العازل وشبه الموصل بسبب التتناغم مع أشارة (ac) وأنتاج متسعة أضافية تعتمد على التردد، فيما لا يظهر ذلك عند الترددات (f >5kHz)، وهذا يحدد طبيعة الاستجابة الالكترونية للنبيطة. وقد تبين أن الازمنة المختلفة لتكوين الاوكسيد تعطي منحنيات مختلفة لقيمة السعة، حيث ان السعة تزداد بزيادة زمن الحث الليزري. وأيضا أن السمك ذو علاقة عكسية مع زمن الحث الليزري للاكسدة بعد الإنماء الابتدائي السريع. وكذلك بينت خواص (I-V) أن في النبائط MOS المصنعة والمنماة بزمن أكسدة عند (5,10) min يبدأ تيار التسرب فيها بعد 0.6 volt، فيما بدأ تيار التسرب بعد 0.4 volt للنماذج المؤكسدة بزمن 15min. اما النماذج المؤكسد بزمن min (20) فقد بدأ تيار التسرب عند 0.2 volt. ER -