@Article{, title={Investigation of Densified SiO2 Sol-Gel Thin Films Using Conventional and DPSS Laser Techniques التحقق من تصليب غشاء رقيق لمادة SiO2 sol-gel باستخدام التقنيات الاعتيادية وتقنية ليزر الحالة الصلبة المضخ بليزر الثنائي DPSS Laser}, author={Noor M. Abdulmalek نور محمد عبدالملك and Mohamed K. Dhahir محمد كريم ظاهر}, journal={Iraqi Journal of Laser المجلة العراقية لليزر}, volume={17}, number={A}, pages={41-45}, year={2018}, abstract={Abstract: The prepared nanostructure SiO2 thin films were densified by two techniques (conventional and Diode Pumped Solid State Laser (DPSS) (532 nm). X-ray diffraction (XRD), Field Emission Scanning electron microscopy (FESEM), and Atomic Force Microscope (AFM) technique were used to analyze the samples. XRD results showed that the structure of SiO2 thin films was amorphous for both Oven and Laser densification. FESEM and AFM images revealed that the shape of nano silica is spherical and the particle size is in nano range. The small particle size of SiO2 thin film densified by DPSS Laser was (26 nm) , while the smallest particle size of SiO2 thin film densified by Oven was (111 nm).

الخلاصة : الاغشية الرقيقه المحضَّرة من ثنائي اوكسيد السيليكون ذو البنية النانوية كُثِّفت بتقنية التكثيف الاعتيادي والتكثيف بليزر الدايود (532 nm). . فحصت العينات المُحضّرة بالطرق الاتية:- الحيود بأشعة X , ومجهر القوة الذرية , والميكروسكوب الالكتروني الماسح. اظهرت نتائج الحيود بأشعة X بان تركيب ثنائي اوكسيد السيليكون كان غير متبلور. الصور المأخوذة بمجهر القوة الذرية و بالمايكروسكوب الالكتروني الماسح اظهرت بإن شكل المركب النانوي كان كرويا وحجومه (≤ 100 نانومتر). اصغر جسيمة لثنائي اوكسيد السيليكون المكثف بواسطة الليزر هو (26 nm) بينما اصغر جسيمة لثنائي اوكسيد السيليكون المكثف بواسطة الفرن هو (111 nm).} }