@Article{, title={Effect of SiO2 ratio on electrical Properties of SiO2:ZnO Thin Films Prepared by pulsed laser depositions (PLD) technique تأثير نسبة اوكسيد السليكون على الخواص الكهربائية لأغشية اوكسيد الخارصين المشوبة باوكسيد السليكون والمحضرة بطريقة الترسيب بالليزر النبضي}, author={Zuheer. N. Majeed1 زهير ناجي مجيد1 and Abdul-Majeed E. Al-Samarai1 عبد المجيد عيادة السامرائي1 and Ghuson. H.Mohammed2 غصون حميد محمد2}, journal={Tikrit Journal of Pure Science مجلة تكريت للعلوم الصرفة}, volume={23}, number={10}, pages={76-80}, year={2018}, abstract={In this paper zinc oxide was dopped by various concentrations (5,10,15,20,25) % of silicon dioxide. The mixture was deposited on glass substrate by laser pulse deposition at room temperature to obtain (Zn2SiO4) thin films. The D.C conductivity showed a decrease in activation energy by increasing doping from (Ea1=0.096 eV) to (Ea1=0.075 eV) before annealing and after annealing from (Ea1=0.048 eV) to(Ea1=0.027 eV). Hall effect showed that the concentration of carriers increases from (2.79 ×1018cm-3) to (14.29× 1018cm-3 ) before annealing and from (0.30×1016cm-3) to (26.25×1016cm-3) after annealing. The mobility decreases from(2.3cm2/v. sec) to (0.99cm2/v. sec) before annealing and from (7cm2/v. sec) to (2.5cm2/v . sec

في هذا البحث تم تشويب اوكسيد الخارصين بتراكيز (5،10،15،20،25)٪ من ثاني أكسيد السيليكون وتم ترسيب الخليط على ارضيات زجاجية بواسطة الترسيب بالليزر النبضي عند درجة حرارة الغرفة للحصول على اغشية سليكات الخارصين. وأظهرت نتائج التوصيلية الكهربائية ان طاقة التنشيط قد قلت من (Ea1=0.096 eV) الى (Ea1=0.075 eV) قبل التلدين اما بعد التلدين فقد قلت من (Ea1=0.048 eV) الى (Ea1=0.027 eV). أظهرت نتائج تأثير هول ان تراكيز الحاملات زادت من (2.79 ×1018cm-3) الى(14.29×1018cm-3 ) قبل التلدين أما بعد التلدين فتزداد من (0.30×1016cm-3) الى (26.25 ×1016cm-3). أظهرت نتائج الاحتمالية انها تقل من (2.3cm2/v.sec) الى (0.99cm2/v.sec) قبل التلدين أما بعد التلدين فتقل من (7cm2/v.sec) الى (2.5cm2/v.sec)} }