TY - JOUR ID - TI - Effect of photo chemical etching and electro chemical etching on the topography of porous silicon wafers surfaces تأثير التنميش الكيميائي الضوئي والتنميش الكهروكيميائي على طبوغرافية سطوح شرائح السليكون المسامي AU - Amjad Hussein Jassem امجد حسين جاسم PY - 2019 VL - 24 IS - 4 SP - 52 EP - 56 JO - Tikrit Journal of Pure Science مجلة تكريت للعلوم الصرفة SN - 18131662 24151726 AB - In This research we study the effect of photo chemical etching and electrochemical etching on topography of porous silicon surfaces, the results showed that photo chemical etching produced roughness silicon layer which can have thickness be less of porous silicon layer which is produced by electro chemical etching When all the wafers have same etching time and hydrofluoric solution (HF) concentration, the wafers have same resistance (10 Ω.cm).Also the results showed the roughness of porous silicon layers produced by electro chemical method which is bigger than the roughness of porous silicon layers produced by photo chemical method and the results of roughness of porous silicon layers, Pore diameter and porous layer thickness were produced by electro chemical method (1.55(µm) ((0.99(µm)) and ((1.21(µm) respectively), the results of roughness of porous silicon layers, Pore diameter and porous layer thickness were produced by photo chemical method 0.63)) nm -1.55)) (µm) ),so the (84.9 (nm)- and (3.94(nm) respectively .This is reinforces because of using the electro chemical to etching the wafer surf ace of bulk silicon and changing it to roughness silicon surface be share in success of many practicalities.

تم في هذا البحث دراسة تأثير التنميش الكيميائي الضوئي والتنميش الكهروكيميائي على طبوغرافية سطوح السليكون المسامي، اذ اظهرت النتائج ان التنميش الكيميائي الضوئي انتج طبقة سطحية ذات خشونة اقل سمكا مما انتجه التنميش بالطريقة الكهروكيميائية وعند ظروف التصنيع نفسها من تركزHF و زمن تنميش ومقاوميه نفسها (.cm Ω 10).كما تبين ان الخشونة كانت اكبر لسطوح شرائح السليكون المسامي المنتجة بالطريقة الكهروكيميائية مما هي عليه سطوح السليكون المسامي المنتجة بالطريقة الكيميائية الضوئية اذ اظهرت النتائج ان قيم الخشونة وقطر المسام وسمك الطبقة المسامية للسطوح السليكونية المنتجة بالطريقة الكهروكيميائية كانت (1.55(µm) و(mµ)(0.99) و(mµ)(1.21) على التوالي، بينما اظهرت النتائج ان قيم الخشونة وقطر المسام وسمك الطبقة المسامية للسطوح السليكونية المنتجة بالطريقة الفوتوكيميائية كانت nm) (0.63) و ( (nm)(84.9) و(nm)(3.94) على التوالي.وهذا يعزز من امكانية استعمال الطريقة الكهرو كيميائية الضوئية لحفر سطوح شرائح السليكون الكتلي وتحويلها الى شرائح سليكون ذات سطوح خشنة تسهم في انجاح عدة تطبيقات عملية. ER -