TY - JOUR ID - TI - Characterization of ZnO/GaAs heterojunction خصائص المفرق الهجين ZnO/GaAs AU - Eman M. Nasir ايمان مزهر ناصر AU - Asmaa N. Mohammed Ali اسماء ناطق محمد علي PY - 2019 VL - 17 IS - 43 SP - 58 EP - 66 JO - Iraqi Journal of Physics المجلة العراقية للفيزياء SN - 20704003 26645548 AB - Thin films of ZnO are prepared by pulse laser deposition. These films were deposited on GaAs substrate to form heterojunction ZnO/GaAs solar cell. The effect of annealing temperatures at (RT, 373, 473) K on properties of structural and optical of ZnO thin films has been studied. The Diffraction analysis by X-ray indicated that all films have hexagonal polycrystalline structure. AFM shows that the grains uniformly distributed with homogeneous structure. The optical absorption spectra showed that all films have direct energy gap. The band gap energy of these films decreased with increasing annealing temperatures. From the electrical properties, the carriers have n-type conductivity. From C-V measurement of ZnO/GaAs heterojunciton at frequency 100, 200 kHz, It is found that built–in potential (Vbi) increases with increased frequency. As well as, from I-V characteristic it is observed that the ideality factor is 2.7. Short-circuit current (Isc) is 4.0 mA/cm2, open circuit voltage is 0.5 V, fill factor is 0.7 and the efficiency is about 6.0 %.

حضرت اغشية رقيقة من ZnO بواسطة الترسيب بالليزر النبضي. رسبت هذه الأغشية على قواعد من GaAs لتحضير الخلايا الشمسية الهجبنة ZnO / GaAs. درس تأثير درجات حرارة التلدين عند درجة حرارة (RT،373 ، 473)K على الخواص التركيبية والبصرية لأغشية ZnOالرقيقة. بين تحليل الحيود بواسطة الأشعة السينية بأن جميع الأغشية لها بنية بلورية سداسية. يُظهر فحص AFM أن الحبيبات موزعة بشكل موحد مع بنية متجانسة. أظهرت أطياف الامتصاص البصري أن جميع الأغشية لها فجوة طاقة مباشرة, وتقل فجوة الطاقة لهذه الأغشية مع زيادة درجة حرارة التلدين. من دراسة الخواص الكهربائية، تمتلك الحاملات توصيلبة من النوع n. و وجد من قياسات C-V للمفرق الهجين ZnO / GaAs وعند التردد100, 200 ، أن جهد البناء الداخلي (Vbi) يزداد بزيادة التردد. كذلك ،لوحظ من الخواص I-V، أن عامل المثالية هو 2.7)) وتيار الدائرة القصيرة (Isc) هو 4.0 mA/cm2، جهد الدائرة المفتوحة هو (0.5V) وعامل المليء هو(0.7) والكفاءة حوالي 0.7)). ER -