@Article{, title={Fabrication of p-Si/ZnO Thin Films Solar Cell by CVD at Different Substrate Temperatures تصنيع خلية شمسية للأغشية الرقيقة p-Si/ZnO بواسطة CVD عند درجات حرارة ارضية مختلفة}, author={Suha Abdullah Najim}, journal={College Of Basic Education Researches Journal مجلة ابحاث كلية التربية الاساسية}, volume={15}, number={4}, pages={3167-3178}, year={2019}, abstract={Zinc Oxide is a prominent candidate to be used a window layer in Si based solar cell. In this study, Fabricated solar cell parameters with different substrate temperatures (400,450,500 ˚C) of Si/ZnO have been prepared by chemical vapor deposition method to find out the higher conversion. Moreover, it is found that Isc, Voc and η are increased for the substrate temperature increase at 500˚C. The best efficiency value calculated was 9.47% at substrate temperature 500˚C. Experimentally the electrical properties measured also ρ, σ and Φb as Si substrate temperature increased until 500˚C, the electrical resistivity of Si/ZnO solar cell was (0.231 ohm.m) at 400 ˚C and it is increased as Si substrate temp. increase, which leads to the decrease of conductivity.

الملخص: اوكسيد الخارصين المرشح البارز الذي يستخدم كطبقة نافذة في قاعدة السيلكون للخلية الشمسية. في هذه الدراسة تم تحضير الخلية الشمسية المصنعة عند درجات حرارة الارضية المختلفة (400,450,500˚C) لـ Si/ZnO بطريقة الترسيب البخاري الكيميائي لإيجاد معاملات التحويل العالية. كذلك وجد ان Isc, Voc و η تزداد بزيادة درجة حرارة الارضية عند 500˚C. حُسبت افضل قيمة كفاءة 9.47% عند درجة حرارة ارضية 500˚C. قيست الخصائص الكهربائية العملية ايضا ρ, σ و Φb بزيادة درجة حرارة ارضية Si لغاية 500˚C، وكانت المقاومية الكهربائية للخلية الشمسية Si/ZnO (0.231 ohm.m) عند 400 ˚C وتزداد بزيادة درجة حرارة الارضية التي تؤدي الى نقصان التوصيلية.} }