TY - JOUR ID - TI - Structural, electronic and optical properties of the bilayer SnS2/InSe heterostructures on the basis of monolayers SnS2 and InSe. الخواص التركيبية ,الإلكترونية والبصرية للطبقات الثنائية SnS2/InSe المتغايرة التركيب على أساس أحادي الطبقة SnS2 و InSe AU - Hamza A. Mezhera AU - Kadhim J. Kadhim AU - Hamad Rahman Japporc PY - 2019 VL - 17 IS - 4 SP - 1 EP - 16 JO - journal of kerbala university مجلة جامعة كربلاء SN - 18130410 AB - In this work has been designed for SnS2/InSe heterostructures bilayer by using SnS2and InSe monolayers, and the structural, electronic and optical properties of SnS2/InSe heterostructures were studied using first-principle calculations. Can be produced with the two-dimensional stacking method SnS2 and InS monolayers, and the force responsible for the bonding of the layers is Van der Waals (VdW) forces. The lattice constants, interstitial spacing, and bonding energies were characterized by being independent of the layers. The electronic transitions of the heterostructures are indirectly having an optical gap energy range between (0.471-0.631) eV, while the direct energy gap ranges from (0.956-1.123) eV. The results show that the absorption coefficient for SnS2/InSe heterostructures starts in the visible light region; can be observed that all peaks for these bilayers begin in the ultraviolet area. We explored that the refractive index property of the heterostructures, their peaks start in the infrared region, while the maximum peaks are located in the visible light region.The SnS2/InSe heterostructures have different and unusual structural, optical and electronic properties, therefore emphasized when studying this type of semiconductor material. These properties are suitable for uses in electronic and optical devices such as transistors, optical detection and solar cells. Also, well been studied the curves of phonons and their effects on the stability of the systems, discovered that all frequencies are positive (this means that systems are stable).

في هذا العمل تم تصميم طبقة ثنائية متغايرة التركيب من SnS2 / InSe باستخدام الطبقات الاحادية SnS2 و InSe ، درست الخصائص التركيبية ,الإلكترونية والبصرية للطبقة الثنائية SnS2 / InSe باستخدام الحسابات الاولى. يمكن إنتاج التراكيب غير المتجانسة المستخدمة في هذا العمل من خلال عملية التراص للطبقات الاحادية SnS2 و InS ثنائية الأبعاد ، وأن القوة المسؤولة عن ربط الطبقات الثنائية هي قوى فاندر فالس.لقد تميزت ثوابت الشبكة ، المسافة البينية ، وطاقات الترابط بأنها لاتعتمد على الطبقات. نجد أن فجوات الطاقة غير المباشرة للهياكل غير المتجانسة لها نطاق طاقة يتراوح بين (0.471-0.631) الكترون- فولت ، في حين تتراوح فجوة الطاقة المباشرة بين (0.956-1.123) الكترون- فولت.ولقد وجدنا بأن معامل الامتصاص للهياكل غير المتجانسة SnS2 / InSe تبدأ عند منطقة الضوء المرئي مع ملاحظة أن كل القمم لهذه الطبقات الثنائية تبدأ في منطقة الأشعة فوق البنفسجية. كذلك اكتشفنا أن معامل الانكسار للهياكل غير المتجانسة ، تبدأ قممها في منطقة الأشعة تحت الحمراء ، في حين تقع أقصى قمم الذروة في منطقة الضوء المرئي.تتميز التراكيب غير المتجانسة SnS2 / InSe بخصائص تركيبية ,بصرية وإلكترونية مختلفة وغير عادية ، لذلك تم التأكيد عليها عند دراسة هذا النوع من المواد شبه الموصلات. ان هذه الخصائص مناسبة للاستخدامات في الأجهزة الإلكترونية والبصرية مثل الترانزستورات والكاشف البصري والخلايا الشمسية. كما درسنا منحنيات الفونونات وتأثيراتها على استقرار النظام ولقد اكتشفنا بأن جميع الترددات موجبة (وهذا يعني أن النظام مستقر). ER -