@Article{, title={Single-Stage Amplifiers Simulation for Microwave Applications Using S-Parameters محاكاة لمضخمات أحادية المرحلة لتطبيقات الميكروويف باستخدام معلمات التشتت S}, author={Salah I. Saleh صلاح اسماعيل صلاح and Nawfal Y. Jamil نوفل يوسف جميل and Laith M. Al Taan ليث محمد الطعان}, journal={Rafidain journal of science مجلة علوم الرافدين}, volume={29}, number={3 E}, pages={47-60}, year={2020}, abstract={A single-stage amplifier circuits containing transistor as BJT or FET transistor were designed for the microwave application using S-parameters, and developed as a lumped circuit then converted to its equivalent microstrip distributed circuits on different substrates such as Alumina (r=9.8) and Beryllia (r=6.3). The output results as power gain Gp, noise figure NF, and stability factor K were obtained. These results were compared with other published worked included circuits having the same conditions. The comparison shows that in case of the feedback applied to the circuit the Gp achieved about (~1.5) dB for BJT circuits along (0.6-1) GHz and noise figure increased about double, where for FET circuit the increasing in Gp about (7) dB along (2) GHz, and noise figure was less than BJT circuit. The physical characteristics are discussed with respect to substrate and show that the substrate with high permittivity was helpful to reach the higher operating frequency and good power gain values.

صممت دوائر جديدة باستخدام ترانزستورات مايكرويف للأنواع BJT وFET باستخدام معلمات S. ونظمت كدوائر مجمعة lumped circuit ثم حولت الى مكافئاتها من الدوائر الشريطية الموزعة microstrip distributed circuits على قواعد أساس substrate materials ذات النفاذية عالية (Alumina, r=9.8) و(Beryllia r=6.3). قورنت نتائج التصاميم مع نتائج دوائر أخرى لها من الظروف نفسها اختبرت سابقا. بينت النتائج ان استخدام التغذية العكسية في تصميم دائرة BJT أعطت زيادة في التحصيل 1.5 dB تقريبا عن القيمة في الدائرة المرجع على مدى ضيق من الترددات بينGHz (0.6-1) ولكن رفعت قيمة الضوضاء الى الضعف، فيما أنجزت الدائرة مع FET تحصيلا بزيادة 7 dB عن تصميم المرجع على مدى أوسع يصل 2 GHz، مع انخفاضا في قيمة الضوضاء عن السابقة. نوقشت الخصائص الفيزيائية بالنسبة لمادة الأساس وتطبقيات الموجات المايكروية واستنتج ان مواد ذات النفاذية العالية تساعد في رفع التردد العامل وتعطي تحصيلا جيدا ولكن يلاحظ ارتفاعا في مستوى NF لدوائرBJT اعلى منها لدوائرFET. وكان أداء FET أفضل من أداء BJT لبعض التطبيقات المؤشرة.} }