TY - JOUR ID - TI - Structural Properties of the Doped Thin Films CdSe: Cu and CdSe: Sn, Prepared Using Chemical Bath Technique at 70oC. الخصائص التركيبية للأغشية المشوبة CdSe:Cu وCdSe:Sn والمحضرة بتقنية الحمام الكيميائي عند درجة حرارة 70oC AU - Laith M. Al Taan ليث محمد الطعان AU - Rahma N. Thannon رحمة نذير ذنون PY - 2021 VL - 30 IS - 1A SP - 91 EP - 99 JO - Rafidain journal of science مجلة علوم الرافدين SN - 16089391 AB - In this work, CdSe thin films have been prepared by chemical bath deposition on glass substrates using and as a source of and respectively, with a solution concentration 0.5M, a solution temperature at 70oC, pH=9 and deposition time 3 hours. The doping process was carried out with tin Sn and copper Cu with different amounts 0.5%, 1%, 1.5% also by CBD. The XRD studies show that the pure and the doped thin films were polycrystalline and cubic structure in the (111) plane direction, (220) and (311) too. SEM technique used to identify the surface nature of CdSe thin films as well as the average crystal size of the growing grains was (5.9nm). The images show a spherical grain, microcode, and other floral shapes with Cu doping at 70oC.

في هذا البحث حضرت أغشية CdSe بطريقة الترسيب بالحمام الكيميائي CBD على أرضيات زجاجية، باستخدام المادة كمصدر لايونات السيلينيوم والمادة كمصدر لأيونات الكادميوم وبتركيز محلول 0.5M ودرجة حرارة ترسيب 70 و pH=9وزمن ترسيب3 ساعات. وأجريت عملية التطعيم بعنصري القصديرSn والنحاسCu وبالنسب0.5% ,1% ,1.5% أيضاً بطريقة CBD. ومن دراسة تأثير التطعيم على الخواص التركيبية باستخدام تقنية XRD قدر أن الأغشية المطعمة وكذلك النقية كانت متعددة التبلور وتمتلك تركيبا مكعبيا وتفضل النمو باتجاه المستوي (111) فضلاً عن المستويات (220) و(311). استخدمت تقنية المجهر الالكتروني الماسح SEM للتعرف على طبيعة سطح أغشية CdSe وكذلك معدل الحجم البلوري للأغشية وكان ((5.9nm على المستوي السائد .(111) وكما أظهرت صور هذه التقنية تكون عصيبات دقيقة، واشكال اخرى زهرية في الاغشية المشوبة بالنحاس عند درجة 70oC. ER -