TY - JOUR ID - TI - Study of Electrical Properties of p-PbSe/p-Si Heterojunction دراسة الخصائص الكهربائية للمفرق ألهجيني p-PbSe/p-Si AU - Uday Muhsin Nayef PY - 2007 VL - 25 IS - 5 SP - 690 EP - 695 JO - Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا SN - 16816900 24120758 AB - في هذا البحث تم دراسة الخصائص الكهر بائية لكاشف المفرق الهج ينحيث تم دراسة خصائص تيار - جهد عند الظلام وتبين إن له خصائص p-PbSe/p-Siتقويمية وذات معامل تقويم منخفض وكذلك أظهرت فولتية انهيار متدرجة في الانحياز العكسي.ومن قياس سعة – جهد أوضحت أن المفرق من النوع الحاد وتم حساب جهد البناء.( 0.49 V) حيث بلغ (V= 1 إلى النقطة ( 0 /C2-V الداخلي من خلال اخذ امتدادتم قياس تيار – جهد في حالة الإضاءة مع الانحياز العكسي ، أبدى الكاشف المصنع سلوكخطي مع عدم ملاحظة وجود منطقة تشبع.

Electrical properties of p-PbSe/p-Si heterojunction detector have beeninvestigated. The electrical properties under dark condition show a rectifyingbehaviour with low rectification factor, and exhibits soft breakdown reversecurrent.C-V characteristics suggest that the fabricated diode was abrupt type, builtin potential determined by extrapolation from 1/C2-V curve to the point (V=0)and it was equal to (0.49V).Results of I-V characteristics under illumination conditions with reversebias voltage exhibit linear behavior with no saturation limit. ER -