@Article{, title={Photonic Devices Based on Porous Silicon Layers النبائط الفوتونية المستندة على طبقات السليكون المسامي}, author={Uday Muhsin Nayef}, journal={Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا}, volume={25}, number={5}, pages={696-701}, year={2007}, abstract={The optoelectronic properties of (Al/c-Si) and sandwich structure type(Al/PS/c-Si/Al) were reported. The nanostructure porous silicon is obtained byphotochemical etching without applying electric field. The photosensitivity of(Al/PS/c-Si/Al) structure is determined by porous layer photoconduction.Maximum spectral sensitivity of the porous layer is changed from (575-610)nm depending on preparation condition.

حيث تم تحضير ( Al/PS/c-Si ) و ( Al/c-Si ) تم دراسة الخصائص الكهروبصرية لمفرقيالسليكون المسامي الفائق الدقة بواسطة طريقة التنميش الضوء - كيمياوي بدون تسليط مجالبالاعتماد على التوصيل (Al/PS/c-Si/Al) كهربائي. وتم دراسة الحساسية الضوئية للمفرقالضوئي لطبقة مسامية وتم الحصول على اعظم حساسية ضوئية ضمن الطول الموجي575-610 ) وبالاعتماد على ظروف التحضير. )nm} }