@Article{, title={Optoelectronic properties of ZnO/PS/n-Si Heterojunctions}, author={Khawla S. Khashan}, journal={Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا}, volume={26}, number={4}, pages={442-448}, year={2008}, abstract={In this work a colloid of nanocrystalline ZnO particles is prepared bychemical method, and then sprayed on porous silicon substrate which is preparedby electrochemical etching under a current density of 15mA/cm2 for 10 min. Theinitial radius of the ZnO particles is found to be (2.2 nm). FTIR spectra exhibit thepresence of Zn – O bond which indicates the formation of ZnO particles. Alsospectra reveals the formation of SiHx (x=1-2) and Si-O bond which indicates thepresence of porous layer. High performance rectifying was obtained, with highphotoresponsivety of 0.54 A/W at 400 nm. The corresponding quantum efficiencywas 166.7%.The results show that ZnO on porous silicon (PS) structures will act asgood candidates for making highly efficient photodiodes.

في ھذا البحث تم تحضیر عالق البلورة الدقیقھ لجزیئة اوكسید الخارصینالكیمیائیة ، وبعد ذلك تم رشھ على سیلكون مسامي محض ر بطریق ھ وج ود الاظھارالكھروكیمی ائيZnO 10 . وج د ان نص ف القط ر الاول ي لجزیئ ات min 10 ل زمن mA/cm تح ت كثاف ة تی ار 2وایضا ان . ZnO والتي تشیر لتكوین جزیئة Zn-O اصرة FTIR 2.2 . یظھر من طیف nm ھووالتي تشیر الى وجود الطبقة المسامیة Si-O واصرة SiHx(x=1- الطیف یكشف تكوین اصرة ( 20.54 ) عن د ( A/W ) .تم الحصول عل ى كف اءة تق ویم عالی ھ م ع أس تجابیھ ض وئیھ عالی ھ تص ل400 ). ھذا یقابل كفاءة كمیة (% 166.7 ) . تبین النتائج ان اوكسید الخارصین على تراكیب nmالسلیكون المسامي سیعمل كبدیل جید لصنع دایودات ضوئیة بكفاءة عالية} }