TY - JOUR ID - TI - Electrical Characteristics of Silicon p-n Junction Solar Cells Produced by Plasma-Assisted Matrix Etching Technique الخصائص الكهربائية للخلية الشمسية السيليكونية ذات الوصلة الثنائية والمصنعة باستخدام تقنية التنميش النقطي بالبلازما AU - Oday A. Hamadi AU - Ban A.M. Bader AU - Afnan K. Yousif PY - 2008 VL - 26 IS - 8 SP - 995 EP - 1001 JO - Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا SN - 16816900 24120758 AB - In this work, plasma-induced matrix etching technique was used to fabricate p-n junctionsolar cells and their electrical characteristics were studied. Results showed reasonableimprovement in solar cell characteristics when compared to the characteristics of thecells fabricated without etching process or by conventional thermal evaporationtechnique. The maximum conversion efficiency of the fabricated cells was about(2.15%) at irradiation power of (90W/cm2) and the fill factor was (56.90%).الخصائص

في هذا البحث ، أجريت عملية التنميش لقواعد سيليكونية باستخدام تقنية التنميش النقطي بالبلازما ومنثم جرى ترسيب أغشية رقيقة من الإنديوم على سطح هذه القواعد لتصنيع خلية شمسية ثنائية الوصلةودراسة الخصائص الكهربائية لها. أظهرت نتائج القياسات الكهربائية تحسنًا ملحوظًا في خصائصالخلية مقارنة بالخلايا المصنعة بدون إجراء عملية التنميش النقطي أو باستخدام تقنية التبخير الحراريالتقليدية. بلغت أقصى كفاءة تحويل للخلية الشمسية المصنعة بهذه التقنية حوالي (% 2.15 ) عند قدرة.( 90 ) فيما بلغت قيمة عامل المليء (% 56.90 W/cm تشعيع مقدارها ( 2 ER -