@Article{, title={Study Optoelectronic Properties of Ag2O Heterojunction Prepered by Thermal Oxidation Technique تحضير ودراسة الخواص الكهروبصرية للمفرق الهجين أوكسيد الفضة- سيلكون}, author={Khalid Z. Yahia}, journal={Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا}, volume={26}, number={10}, pages={1201-1209}, year={2008}, abstract={Highly (101)-oriented p-Ag2O thin film with high electrical resistivily was grown bythermal oxidation (TO) on clean monocrystalline p-type Si without any post- depositionannealing. From optical transmittance and absorptance data, the direct optical band gapwas found to be 1.4eV. The electrical and photovoltaic properties of Ag2O/Si isotopeheterojunction were examined in the absence of any buffer layer. Ideality factor ofheterojunction was found to be 3.9. Photoresponse result revealed that there are two peakslocated at. 750 nm and 900nm .

تم ترسيب غشاء رقيق من اوكسيد الفضة باتجاهية ( 101 ) ومقاومة كهربائية عالية علىطبقة من السليكون احادية البلورة من النوع مانح بطريقة التأكسد الحراري بدون أي تلدينمسبق. من النتائج النفاذية البصرية والامتصاصية وجد ان فجوة الطاقة للانتقال المباشر كانتالهجين له عامل المثالية 3,9 Ag2O/Si 1.4 اما الخواص الكهربائية والفولتائية وجد ان المفرق eV.900 nm750nm, اما نتائج الاستجابية الطيفية فوجد قمتان تقع عند الطولين الموجيين} }