@Article{, title={Using chemical etching technique to determination the crystal orientation for silicon wafer استخدام تقينة الاظهار الكيميائي في تحديد اتجاهية المستويات البلورية لشرائح السليكون}, author={اقبال عبد المجید and فاطمةعریص سلطان and ساریة ذیاب محمد}, journal={Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا}, volume={28}, number={8}, pages={391-397}, year={2010}, abstract={AbstractThe crystal orientation of a semiconductor play a significant role to effects thecharacteristics of manufactured semiconductor solar cells and the optical detectors.In this research we use the chemical etching technique and microscopic testingto determine the crystal orientation of the silicon wafer, where mechanicalpolishing and Wet Etching described the geometric dislocations pits which refersto thecrystallographicorientation. Microscopic examination has been describingdifferences geometric dislocations pits which reflected from plane (111) in thesilicon wafer, by the impact of different chemical solutions. CP-4 etch appeardislocations pits in geometric forms flat trigonometric, while using KOH solutionshow that pits in conical shape which refers to the vector [111] for silicon wafer.In this work acid chromium oxide solution has been used to showing thegeometric dislocations pits of plane (100) in the forms of four fold flat symmetrywhich refers to that plane in Silicon wafer, as the distribution of Miller Indices inthe cubic system.

تلعب الاتجاهية البلورية لأشباه الموصلات دورا كبيرا في التأثير على خصائص النبطيةالمصنعة كالخلية الشمسية والكاشف الضوئي ونحوهما .في هذا البحث تم استخدام تقنية الاظهار الكيميائي والفحوصات المجهرية لتحديد التوجيه البلوريلشرائح السليكون الاحادية ، حيث أدت عمليات التنعيم والصقل ومحاليل الاظهار المفضلة الى أظهار ندبالانخلاعات على شكل هيئات هندسية مميزة تشير الى المستويات البلورية لشرائح السليكون .بينت الفحوصات المجهرية الاختلاف في هيئات ندب الانخلاعات للمستوي ( 111 ) في شرائحالسليكون بتأثير اختلاف المحاليل الكيميائية ، حيث ظهرت ندب الانخلاعات بأشكال هندسية مثلثيةالى اظهار تلك الندب بهيئات مثلثية CP- بينما أدى محلول 4 KOH مسطحة عند استخدام محلول.[ هرمية يشير الرأس الى الاتجاهية [ 111استخدم خلال هذا البحث محلول أوكسيد الكروم الحامضي في اظهار ندب الانخلاعات للمستويات100 ) لشرائح السليكون حيث كانت على هيئة مربعات حادة الحافات مسطحة تشير الى تلك المستويات )وحسب توزيع معامل ملر في النظام المكعب لشرائح السليكون.} }