TY - JOUR ID - TI - A Study Of Photoelectrical Characteristics Of (CdS/CdTe) Heterojunction دراسة الخواص الكهروضوئية للمفرق CdS/CdTe AU - Bashar A.H. AL-abbasy بشار عبد النافع حسين العباسي PY - 2011 VL - 19 IS - 2 SP - 68 EP - 76 JO - AL-Rafidain Engineering Journal (AREJ) مجلة هندسة الرافدين SN - 18130526 22201270 AB - Abstract: In this work, we report the photoelectrical properties of the (CdS/CdTe) structure as a function of the reverse bias voltage, light intensity and incident power wavelength. The investigated photodetection performance is located in the visible light spectrum situated at wavelength range (488-595 nm) and the maximum photocurrent at (505 nm).The photodetection parameters such as quantum efficiency, responsivity, and detectivity have been studied as a function of incident power wavelength at different reverse bias voltages. These studies gave somewhat low values of such parameters which describe the performance of any photodetector

ملخص في هذا البحث قيست الخواص الضوئية للتركيب((CdS/CdTe كدالة لفولتية الانحياز العكسي وشدة الإضاءة والطول ألموجي للقدرة الساقطة. يقع أداء الكشف الضوئي الذي تم التحري عنه ضمن الطيف المرئي وضمن مدى الطول الموجي(488-595nm) وأعظم تيارضوئي عند الطول الموجي(505nm).تم دراسة معالم الكشف الضوئي مثل كفاءة الكم والأستجابية والتحسسية كدالة للطول الموجي للأشعة الساقطة عند فولتيات مختلفة للأنحيازالعكسي.أعطت هذه الدراسة نوعا ما قيم قليلة للمعالم المذكورة والتي توصف أداء أي كاشف ضوئي. ER -