TY - JOUR ID - TI - Ultrathin Te Films on Si(111): Schottky Barrier Formation and Photovoltaic Applications AU - Khaleel I. Hassoon PY - 2009 VL - 27 IS - 1 SP - 152 EP - 158 JO - Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا SN - 16816900 24120758 AB - In this work, ultrathin trillium films were evaporated on chemically etchedsilicon substrate. Schottky barrier heights (SBHs) of Te contacting to n-Si weredetermined by analyzing dark current-Voltage (I-V) curves and illuminated shortcircuit current-open circuit voltage (Isc-Voc) curves. To eliminate the effect ofseries resistance we used Norde method to extract effective SBHs. Experimentalresults showed good reasonable agreement of the barrier height values. There ismore than one mechanism to transport the current through the barrier. Thepossibility of using Te-nSi as a photovoltaic device is presented in this work.

في ھذا البحث تم تبخیر اغشیة تریلیوم رقیق ة ج داعلى قاع دة س لیكونیة معالج ة بعملی ة الازال ةالكیمیائیة . ارتفاع ح اجز ش وتكي لات صال التریلی وم م ع م ع ال سیلیكون ال سالب ت م ایج اده م ن خ لالتحلیلات خصائص منحنیات تیار - جھد في حالة الظلام وخصائص منحنیات تیار الدائرة الق صیرة -فولتیة الدائرة المفتوحة . وللتخلص من تاثیرات مقاومة التوالي تم استخدام طریقة نورد لایجاد ارتف اعالحاجز. اظھرت النتائج التجریبیة توافقا في قیم ارتفاع الحاجز.وان ھناك اكث ر م ن میكانیكی ة واح دةلانتقال التیار عبر الحاجز. كذلك اوضح ھذا البحث امكانیة عمل اتصال كنبطیة فولتائیة ضوئیة ER -