TY - JOUR ID - TI - Preparation and Characterization of MOS Device using MgO Film as A Dielectric Material تحضیر ودراسة خصائص غشاء اوكسید المغنیسیوم باستخدام تقنیة لترسیب باللیزر النبضي AU - Farhan A. Mohamed AU - Evan T. Salem PY - 2010 VL - 28 IS - 21 SP - 6253 EP - 6262 JO - Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا SN - 16816900 24120758 AB - In the present work, fabrication and characterization of Al/MgO/Si MOSdevice has been carried out using PLD as a deposition technique, and forcomparison Al/SiO2/Si MOS device has been also constructed. The obtainedresult show that , The Electrical and photovoltaic characteristics of MOS device are strongly dependent on the oxide type and thickness, beside that, the C-V measurement reveled that prepared device are of abrupt type. The Spectral Responsivity measurement of (Al/MgO/Si) MOS device is found to be 0.27A/W while of (Al/SiO2/Si) MOS device is 0.20A/W and the Rise and Response time measurement of (Al/MgO/Si) MOS device was shorter than of (Al/SiO2/Si) MOS device.

باستخدام (Al/MgO/Si) ( MOS) في ھذا البحث ، تم صنیع ودراسة خصائص نبیطھ نوع Al/SiO2/Si) تقنیھ الترسیب باللیزر النبضي ، ولاجل المقارنھ تم تصنیع نبیطة من نوع اضھرت النتائج التي تم الحصول علیھا ان الخصائص الكھربائیة والبصریھ للنبائط ، ((MOS) المحضره تعتمد بصوره كبیره على نوع الاوكسید المستخدم ،كذلك اظھرت خصائص سعة –جھد كانت (Al/MgO/Si) ان النبائط من النوع الحاد . خصائص الاستجابیة الطیفیة للنبیطھ نوع 0.20 اما نتائج A/W وجدت لتكون (Al/SiO2/Si) 0.27 بینما للنبیطھ الثانیھ نوع A/W حوالياقصر من مثیلة للنبیطھ نوع (Al/MgO/Si) زمن النھوض فبینت ان زمن النھوض للنبیطھ نوع.(Al/SiO2/Si) ER -