TY - JOUR ID - TI - Capacitance-Voltage and Current-Voltage Characteristics for CdSSe junction AU - Ahmed S. Ahmed احمد صالح احمد PY - 2012 VL - IS - 1 SP - 723 EP - 733 JO - Journal of College of Education مجلة كلية التربية SN - 18130380 AB - n-CdSSe thin films were prepared by thermal evaporation technique at room temperature on p-Si substrate under vacuum of 10-6 mbar . Thickness of the film is 800nm . The effect of the annealing temperature (298,323 and 348) K on the electrical characterizations of CdSSe junctions was studied. The electrical properties are included the capacitance-voltage( C-V) and current- voltage (I-V) measurements in the range (0-2)Volt is measured. From C-V measurements, the built in- voltage (Vbi )is calculated under different annealing temperatures and different frequencies(100Hz, 1kHz and 10kHz), while from I-V measurements, the ideality factor (ß )is calculated.

حضرت أغشية رقيقة من n-CdSSe بتقنية التبخير الحراري في الفراغ في درجة حرارة الغرفة على أرضية من السيليكون p-Si تحت ضغط 10-6ملي بار.سمك الغشاء بحدود800nm . لقد درس تاثير درجات حرارة التلدين K( ,298,348323 (على الخصائص الكهربائية لمفارق CdSSe . قيست خصائص متسعة-فولتية(C-V) وتيار – فولتية(I-V) عند مدى (0-2) فولت. تم حساب جهد البناء (Vbi) عند درجات حرارة تلدين مختلفة و ترددات مختلفة(100Hz, 1kHz and 10kHz), بينما تم حساب عامل المثالية(ß) من قياسات تيار- فولتية. ER -