TY - JOUR ID - TI - Band Gap Energy for SiC Thin Films Prepared By TEACO2 Laser Irradiated With Nuclear Radiation تأثير الأشعة النووية على فجوة الطاقة للأغشية SiC الرقيقة المحضرة بواسطة ليزر TEACO2 AU - Asia H. AI-Mashhdani أسيا حميد حمد PY - 2009 VL - 6 IS - 3 SP - 578 EP - 583 JO - Baghdad Science Journal مجلة بغداد للعلوم SN - 20788665 24117986 AB - The effect of high energy radiation on the energy gap of compound semiconductor Silicon Carbide (SiC) are viewed. Emphasis is placed on those effects which can be interpreted in terms of energy levels. The goal is to develop semiconductors operating at high temperature with low energy gaps by induced permanent damage in SiC irradiated by gamma source.TEACO2 laser used for producing SiC thin films. Spectrophotometer lambda - UV, Visible instrument is used to determine energy gap (Eg). Co-60, Cs-137, and Sr-90 are used to irradiate SiC samples for different time of irradiation. Possible interpretation of the changing in Eg values as the time of irradiation change is discussed

تم دراسة تأثير أشعة كاما وبيتا ذات الطاقات العالية على فجوة الطاقة للأغشية كاربيد السليكون ( (SiC الرقيقة. يهدف هذا البحث إلى الحصول على شبه موصل ذو فجوة طاقة بحدود (0.9eV) يعمل في درجات حرارة عالية، وذلك من خلال إحداث تغيرات دائمية في أغشية SiC الرقيقة من خلال تشعيعه باشعة كاما. استخدم ليزر TEACO2 في تحضير أغشية SiC الرقيقة. ومطياف الأشعة الفوق البنفسجية والمرئية في تحديد فجوة الطاقة (Eg). والمصادر المشعة Co-60 وCs-137 وSr-90 في تشعيع أغشية SiC . حيث تم تعريض هذه الأغشية لجرعات مختلفة من اشعة كاما وبيتا. وقد تم مناقشة تأثير التشعيع من ناحية الجرعة وزمن التشعيع على قيمة فجوة الطاقة (Eg). ER -