TY - JOUR ID - TI - The Electrical and Optical Properties of SnO2 – Si(n) Structure Solar Cells. الخواص الكهربائية والضوئية لتراكيب الخلايا الشمسية SnO2 – Si(n) AU - Dr. Khalid K. Mohammed د. خالد خليل محمد PY - 2005 VL - 13 IS - 3 SP - 1 EP - 8 JO - AL-Rafidain Engineering Journal (AREJ) مجلة هندسة الرافدين SN - 18130526 22201270 AB - . Abstract:•In this paper the SnO2 will be examined to be used as a transparent antireflection coating with the n –type silicon wafer to fabricate the deposited SnO2 silicon Solar cell using vacuum evaporation technique. This SnO2 layer is simultaneously an antireflecting coating and a transparent upper contact. The oxidation of the Si surface takes place simultaneously with the evaporation process. A semiconductor – insulator – semiconductor (SIS) structure was obtained in such a way. The photoelectrical parameters of such SIS system of AM 1.5 conditions are: the short circuit current 18.5 mA/cm2, the open circuit voltage 0.48 V and the efficiency is 7.0%. The subgap response of the resulted structure is particularly strong and extends to wavelength up to 1100nm

ملخص البحث :يهدف هذا البحث الى اختبار مادة الـ SnO2 كطبقة شفافة ومانعة للأنعكاس مع الشريحة السليكونية نوع n لتصنيع الخلية الشمسية SnO2-Si(n) باستخدام جهاز التبخير الفراغى. حيث تم أكسدة طبقة السليكون بالتعاقب خلال عملية التبخير وبالتالي تكوين تركيبة شبه موصل ـ عازل ـ شبه موصل (SIS). تم اختبار الخواص الكهربائية والضوئية للخلية الناتجة تحت ظروف AM1.5 ووجد بأن تيار الدائرة القصيرة يساوي 18.5mA/cm2 وفولتية الدائرة المفتوحة تساوى 0.48 فولت وكفاءة الخلية بحدود 7%0 ER -