@Article{, title={Morphological Aspects of Porous Silicon Prepared by Photo-Electrochemical Etching}, author={Sabah M. Ali Oday A. Abass}, journal={Al-Mustansiriyah Journal of Science مجلة علوم المستنصرية}, volume={18}, number={4}, pages={58-66}, year={2007}, abstract={In this work the effects of coherent radiation (Laser) andincoherent radiation (Halogen lamp) during the electrochemicaletching process on the structural characteristics of n-type PSisamples were investigated. The porosity values were measured bydepending on the microstructure analyses and Gravimetricmeasurements. Surface morphology, layer thickness, pore diameter,pore shape, wall thickness and etching rate were studied bydepending on Scanning electron-microscopic (SEM) images.Keywords: Porous Silicon, Illumination, SEM Images.

في هذا البحث تم دراسة تأثير الاشعاع المتشاكه (الليزر) والاشعاع الغير متشاكة(مصباح الهالوجين) خلال عملية القشط الكهروكيميائي على الخصائص التركيبية للسليكونان قيم المسامية تم قياسها بالاعتماد على التحاليل التركيبية الدقيقة .(n) المسامي نوعوبالطريقة الوزنية. طبوغرافية السطح, سمك الطبقة, قطر الفجوة, شكل الفجوة, وسمكطبقة الجدار بين الفجوات وكذلك معدل القشط تم قياسها بالاعتماد على تحليل صور المجهرالالكتروني الماسح.} }