@Article{, title={Study and Fabrication of High Efficiency Indium Doped SnO2/SiO2/ n– Si Solar Cells. راسة وتصنيع خلية شمسية عالية الكفاءة نوع SnO2/SiO2/textured(n-Si}, author={Dr. Khalid K. Mohammed د. خالد خليل محمد and Ghassan H. Shakoory غسان حازم شكوري and Ziyad J. Jerjees زياد جياد}, journal={AL-Rafidain Engineering Journal (AREJ) مجلة هندسة الرافدين}, volume={20}, number={3}, pages={35-43}, year={2012}, abstract={AbstractIn this paper a new type of indium doped SnO2/SiO2/(textured) n-Si solar cell were prepared by vacuum evaporation source.. The SnO2 layer is simultaneously an antireflection coating and a transparent upper contract. The interfacial layer plays an important role in determining the short circuit current, open circuit voltage, fill factor and efficiency of the cell. In this paper, the effects of interfacial oxide layer thickness, SnO2 layer thickness, indium layer thickness were studied. The indium doped SnO2 layer reduces the cell series resistance and hence increase the cell output power, the performance parameters of the fabricated solar cell were as follows: an Voc of 0.646 V, Isc of 29.6 mA cm-2, a fill factor of 0.7 and a conversion efficiency of 13.38 at an AM 1.0 irradiance. Keywords: SnO2, Solar Cells, High Efficiency

ألخلاصةتم في هذا البحث تحضير الخلية الشمسية نوع SnO2/SiO2/textured(n-Si)- باستخدام طريقة التبخير الفراغي. تعتبر مادة الـ SnO2 كمادة مانعة للانعكاس وبنفس الوقت كطبقة نفاذة للضوء. تلعب مادة الاوكسيد العازلة SiO2 دور مهم في تعزيز قيمة تيار الدائرة القصيرة , فولتية الدائرة المفتوحة ,عامل الملئ وكفاءة الخلية الشمسية .كذلك تم في هذا البحث دراسة تأثير كل من سمك طبقة SnO2, SiO2 ومادة الانديوم. تم قياس خواص الخلية الشمسية المصنعة وكانت: فولتية الدائرة المفتوحة مساوية لـ 0.646 فولت ، تيار الدائرة القصيرة بحدود 29.6mA ,عامل المليء مساويا لـ 0.7 وكفاءة التحويل للخلية بحدود ٪13.38 عند ظروف إشعاع AM1.0.} }