@Article{, title={Electron transport mechanism of SnIn/c-Si Solar cell أليات الانتقالات الالكترونية للخلية الشمسية SnIn/c-Si}, author={Ahssan humyan saber 1 & Z. T.Mohammed Noori 2 & Kadhim A. Adem 1 احسان حميان صبار1 & زيدون طارق محمد نوري2 & كاظم عبد الواحد عادم 1}, journal={Journal Of Wassit For Science & Medicine مجلة واسط للعلوم والطب}, volume={4}, number={2}, pages={29-34}, year={2011}, abstract={In this research was fabricated SnIn/c-Si Hetrojunction Solar Cell, where SnIn/c-Si heterojunction Solar Cell fabricated by deposition of SnIn film with thickness 500 nm on c-Si by using thermal evaporation. Electrical properties of SnIn thin film include d.c conductivity and Hall effect at different annealing temperature .From d.c conductivity found the electrical activation energies Ea1 and Ea2 increase with increasing of annealing temperature from 323K to 348K.From I-V characteristics, measurements efficiency of the found increasing from (1.5 to 4.67)% with increasing of annealing temperature .

تم في هذا البحث تصنيع خلية شمسية SnIn/c-Si وذلك بترسيب غشاء من السيلينيوم بسمك 500 nm على ارضية من السليكون البلوري بواسطة التبخير الحراري ودرست الخواص الكهربائية للغشاء التي تتضمن التوصلية المستمرة مع درجات حرارة تلدين مختلفة .من قياسات التوصيلية المستمرة تم حساب طاقات التنشيط الاولى والثانية ووجد انها تزداد مع زيادة درجات حرارة التلدين من 223-348 K .القياسات الكهربائية للخلية الشمسية تتضمن قياسات تيار – فولتية عند درجات حرارة التلدين مختلفة. ومن قياسات تيار – فولتية تم حساب الكفاءة للخلية الشمسية ووجد انها تزداد من 4.67-1.5 ) )% بزيادة درجات حرارة التلدين.} }