@Article{, title={Characterization of ZnO thin films grown by chemical bath deposition}, author={Mohammad M. Ali}, journal={Journal of Basrah Researches (Sciences) مجلة ابحاث البصرة ( العلميات)}, volume={37}, number={3A}, pages={49-56}, year={2011}, abstract={The ZnO thin films were prepared by chemical bath deposition technique using glass substrates with bath temperature 80oC and annealing temperatures 300oC, 350oC and 400oC. The X-ray diffraction analysis shows that the prepared samples are polycrystalline and it exhibits hexagonal structure along with c-axis orientation. The average grain size of ZnO thin films was found to be 36.340nm as calculated by XRD using Debye Scherer’s formula. After annealing the films in air the grain size was 32.420nm, 60.993nm and 34.067nm respectively. The optical absorbance of the deposited films was characterized by UV-VIS-NIR spectrometry and shows the presence of direct transition with band gap energy 3.32eV and after annealing, it decreases to 3.12eV, 3.04eV and 3.10eV respectively.

حضُرة (رُسبت) الأغشية الرقيقة لمركب ZnO على القواعد الزجاجية باستعمال تقنية الترسيب الكيميائي CBD بدرجة حرارة ترسيب 80oC، بعدها تمت معاملة تلك الأغشية حراريا بدرجات حرارية مختلفة (عملية التلدين) 300oC و 350oC و 400oC في الهواء. تم تحليل التركيب البلوري للأغشية المحضرة والملدنة عن طريق حيود الأشعة السينية XRD وتبين ان الأغشية متناسقة وناعمة ومتعددة التبلور وتمتلك طوراً واحداً فقط وهو التركيب البلوري السداسي Hexagonal بدون حدوث اي تغيير في التركيب البلوري على طول فترة التحضيرات والتي رافقتها عملية التلدين. أن معدل الحجم الحبيبي لتلك الأغشية هو 36.340nm والمحسوب عن طريق استعمال علاقة ديباي-شيرر وذلك من خلال حيود الأشعة السينية، وبعد أجراء عملية التلدين فأن معدل الحجم الحبيبي أصبح 32.420nm و 60.993nm و 34.067nm على التوالي. قيست الامتصاصية الضوئية للأغشية باستعمال مدى المطيافية UV-VIS-NIR من الضوء وتبين ان لها سمة الأنتقال المباشر مع فجوة طاقة 3.32eV للأغشية المرسبة بدرجة حرارة 80oC وللأغشية الملدنة كانت 3.12eV و 3.04eV و 3.10eV على التوالي.} }