TY - JOUR ID - TI - Doping effects on electrical and dynamical characteristics of GaAs / AlGaAs quantum cascade laser AU - Ragheed M. Ibrahim AU - Erada A. Al-Dabbagh PY - 2008 VL - 21 IS - 31 SP - 88 EP - 96 JO - JOURNAL OF EDUCATION AND SCIENCE مجلة التربية والعلم SN - 1812125X 26642530 AB - AbstractA theoretical analysis of the doping density level influence on the output characteristics of GaAs/Al0.45Ga0.55As triple quantum well QCL emitting at (=9 m) is presented. The employed theoretical model was based on Schrodinger equation analysis. Six different doping density levels, have been used in this study to explain doping density level influence on model gain as a function of wavelength and negative differential resistance (NDR). In the conventionally employed high doping regime, the wavelength shift to the shorter wavelength furthermore to decrease of the peak gain value with doping density level increase has been observed. The available current range before the occurrence of the NDR reduced when the doping density level decrease was found.

الملخصتم في هذا البحث التحليل النظري لتأثير كثافة التطعيم على خواص خرج الليزر التعاقبي الكمي ثلاثي بئر الجهد من نوع GaAs/Al0.45Ga0.55As بطول موجي (9 µm). ان النموذج النظري المستخدم يستند على تحليل معادلة شرودنكر. لبيان تأثير التطعيم على نموذج الربح كدالة للطول الموجي وعلى المقاومة التفاضلية السالبة تم استخدام ستة مستويات مختلفة للتطعيم والواقعة في منطقة التطعيم العالي. وقد صاحب زيادة مستويات التطعيم حدوث زحف في الطول الموجي نحو الأطوال الموجية الأقصر فضلا عن النقصان في قيمة الربح. كذلك وجد من خلال النتائج ان مدى تيار التشغيل قبل الوصول إلى منطقة المقاومة التفاضلية السالبة يقل بزيادة مستويات كثافة التطعيم. ER -