TY - JOUR ID - TI - The effect of temperature of operation on the Turn-on Time Delay of Semiconductor Lasers AU - M. R. Hassan PY - 2008 VL - 34 IS - 1A SP - 8 EP - 19 JO - Journal of Basrah Researches (Sciences) مجلة ابحاث البصرة ( العلميات) SN - 18172695 2411524X AB - In this paper, the effect of temperature of operation on the turn-on time delay, td, of semiconductor laser has been re-studied theoretically. We proposed a model to calculate the temperature dependence (TD) of td according to the TD of laser cavity parameters. An accurate analytical expression of td as a function of temperature has been driven in term of TD of threshold carrier density. The TD of threshold carrier density was calculated according to the TD of cavity parameters and not by the well-known exponential Pankove relation via the use of characteristics temperature and current. A very good agreement between the values of td calculated by the proposed model and the numerical method through the shown simulation results. We also re-drived approximated expressions of td as a function of temperature according to this model.

في هذا البحث, تاثير درجه حرارة العمل على التاخير الزمني لبدء التشغيل لاشباه الموصلات الليزريه, قد اعيد دراسته نظريا دقيقه لحسا. اقترحنا صيغه لحساب الاعتماديه الحرارية لزمن بدء التشغيل بموجب الاعتمادية الحراريه لبارمترات الفجوة الليزريه. تم اشتقاق صيغه تحليلية ب التاخير الزمني لبدء التشغيل كداله لدرجه الحرارة من خلال الاعتماديه الحراريه لكثافة الحاملات عند مستوى العتبة والتي تم حسابها اعتمادا على الاعتماديه الحراريه على بارمترات الليزر وليس اعتمادا على علاقه بانكوف الاسيه المعروفه لدرجه الحرارة المميزة والتيار المميز. نتائج المحاكاة للبحث اظهرت توافق كبير بين قيم زمن بدء التشغيل المحسوبه بواسطه الصيغه المقترحه وتلك المحسوبه عن طريق الطريقه العدديه. ايضا اعدنا اشتقاق علاقات تقريبية للتاخير الزمني لبدء التشغيل حسب الصيغه المقترحه. ER -