TY - JOUR ID - TI - High Efficiency AlxGa1-xAs/GaAs Quantum Wells Solar Cells الكفاءة العالية للخلايا الشمسية ذات الجيوب الكمية AlxGa1-xAs/GaAs AU - Belal A. Alshekhli PY - 2012 VL - IS - 1 SP - 55 EP - 65 JO - Journal of College of Education مجلة كلية التربية SN - 18130380 AB - An analytical expression for the maximum obtainable photoconversion efficiency of graded band gap AlxGa1-xAs/GaAs quantum wells solar cell was presented. Computer program WELL was designed to simulate the photocurrent density, spectral response and conversion efficiency to the proposed model. To improve this model, the effect of the number wells was studied. The photovoltaic parameters obtained from this model with 50 quantum wells are Jsc =55 mA/cm2, Voc= .924 V, FF= .875 and η= 52.8 % under AM1.5D solar spectrum conditions. Significant enhancements in short-circuit current and conversion efficiency have been obtained.

تم ايجاد تعبير تحليلي لاكبر كفاءة تحويل للخلية الشمسية ذات الحجيرات الكمية والنظام المتدرج في فجوة الطاقةتم تصميم برنامج حاسوبي لكي يماثل كثافة التيارو الاستجابة الطيفية وكفاءة التحويل للخلية المفترضة. .AlxGa1-xAs/GaAsللتطوير هذا النموذج، تم دراسة تاثير عدد الحجيرات. العوامل الكهروضوئية التي تم الحصول عليها لخلية تحوي 50 حجيرة كمية . AM1.5D تحت ظروف الطيف الشمسي Jsc =55 mA/cm2, Voc= .924 V, FF= .875 and η= 52.8 % هيتم الحصول على تعزيز ملحوض في تيار الدائرة القصيرة وكفاءة التحويل. ER -