@Article{, title={Nano-Scale core effects on electronic structure properties of gallium arsenide تأثير حجم اللب على الخواص الالكترونية للكاليوم – ارسينايد}, author={Thekra Kasim ذكرى قاسم and Akram H. Taha اكرم هاشم طه and Mohammed T. Hussein محمد تقي حسين}, journal={Iraqi Journal of Physics المجلة العراقية للفيزياء}, volume={10}, number={17}, pages={23-28}, year={2012}, abstract={Ab – initio density function theory (DFT) calculations coupled with Large Unit Cell (LUC) method were carried out to evaluate the electronic structure properties of III-V zinc blend (GaAs). The nano – scale that have dimension (1.56-2.04)nm. The Gaussian 03 computational packages has been employed through out this study to compute the electronic properties include lattice constant, energy gap, valence and conduction band width, total energy, cohesive energy and density of state etc. Results show that the total energy and energy gap are decreasing with increase the size of nano crystal . Results revealed that electronic properties converge to some limit as the size of LUC increase .

باستخدام حسابات ميكانيك الكم وفق نموذج الحساب التام وفق نظرية دوال الكثافة (DFT) مع طريقة (LUC) . تم حساب الخواص الالكترونية للكاليوم ارسينايد (GaAs) ذو التركيب البلوري III-V Zinc blend ولابعاد اللب تتراوح بين (2.04-1.56) نانومتر وذلك باستخدام برنامج Gaussian 03 حيث اخذ بنظر الاعتبار خواص ثابت الشبيكة وفجوة الطاقة وعرض كل من حزمة التكافؤ والتوصيل والطاقة الكلية وطاقة الترابط و كثافة المستويات ..الخ . وبينت الحسابات تناقص كل من فجوة الطاقة والطاقة الكلية مع زيادة حجم اللب وان الخواص الالكترونية تقترب مع زيادة حجم (LUC).} }