@Article{, title={Chemical etching of Si-p-type wafers using KOH الحفر الكيميائي للسي-P-نوع رقائق باستخدام KOH}, author={Intessar K.abd انتصار ك. عبد and Abtisam K.al-Bity ابتسام ك. البياتي and Ahmed A.Esmael احمد أ. اسماعيل and Salah A. Bayat صلاح أ. البياتي}, journal={Academic Science Journal مجلة العلوم الاكاديمية}, volume={8}, number={4}, pages={10-15}, year={2012}, abstract={In this paper wet etching was used to etch Si-wafers by chemical solution KOH at different temperature and concentrations, the results showed: - decreasing of the etching rate at higher KOH concentrations producing smooth surface, on the other hand by observing the etching rate as a function of temperature it shows that the etching rate increases with the increase of the etching temperature producing roughness surface.

في هذا البحث تم استخدام الحفر الرطب لعينات السيليكون بأستخدام المحلول الكيميائي KOH بأختلاف التراكيز ودرجة الحرارة ، لقد تم الحصول على معدل حفر قليل بأستخدام التركيز العالي للمحلول KOH مع ملاحظة نعومة سطح العينات المحفورة ، كما لاحظنا حصول زيادة في معدل الحفر لعينات السيليكون عند زيادة درجة حرارة المحلول KOH مع ملاحظة خشونة حاصلة على سطح العينات المحفورة .} }