TY - JOUR ID - TI - Dependence of Structural and I-V Characteristic on Annealing Temperature of a-As/c-Si Heterojunction دراسة تأثير التلدين على الخواص التركيبيه وخواص I-Vللمفرق الهجين a-As/c-Si AU - Ramiz Al-Ansari AU - Hussien Al-Lamy AU - Jenan Al-Haidery PY - 2013 VL - 11 IS - 2 SP - 53 EP - 57 JO - journal of kerbala university مجلة جامعة كربلاء SN - 18130410 AB - In this work the effect of annealing temperature on the structure of a-As and electrical properties of a-As/c-Si heterojunction have been studied. The heterojunction fabricated by deposited of a-As film on c-Si using thermal evaporation technique. Electrical properties of a-As/c-Si heterojunction includes I-V characteristic in dark at different annealing temperature and C-V characteristic are considered in the present work. C-V characteristic show that the fabricated diode was abrupt type , built in potential determined by extrapolation from 1/C2-V curve. The built in potential (vbi) for the a-As/c-Si system was found to be increase from 0.35 to 0.8 V with increasing annealing temperature.

في هذا البحث تم دراسة تأثير التلدين على الخواص التركيبية للزرنيخ والخواص الكهربائية للمفرق الهجيني a-As/c-Si الناتج من ترسيب السلنيوم بطريقة التبخير الحراري على السلكون. الخواص الكهربائية للمفرق الهجين تتضمن خصائص التيار- فولتية في حالة الظلام وبدرجات تلدين ممختلفة وخصائص سعة-فولتية. من خصائص سعة –فولتية تبين ان المفرق الهجيني هو من النوع الحاد وان جهد البناء تم حسابه من منحني الفولتية ومقلوب مربع السعة وتبين ان جهد البناء للمفرق الهجيني يزداد من 0.3 الى0.8 فولت بزيادة التلدين. ER -