TY - JOUR ID - TI - Fabricating and characterizing of ZnO nanostructure solar cells صناعة وقياس خصائص غشاء ZnO بتركيب نانوي للخلايا الشمسية AU - Wisam J. Aziz, PY - 2013 VL - 11 IS - 4 SP - 287 EP - 292 JO - journal of kerbala university مجلة جامعة كربلاء SN - 18130410 AB - Zinc oxide (ZnO) thin film on crystalline silicon (c-Si) substrate has been deposited by RF sputtering method to use it for fabricating a solar cell. Structural properties of ZnO films studied using high resolution X-ray diffraction (HRXRD) analysis of the films which show that the films have polycrystalline nature with orientation (002). Small crystallite size of prepared films was calculated using Scherrir formula that indicates our films are within Nano scale. In addition, optical properties have been done via scanning electron microscopy (SEM) which used to describe the surface morphology and Photoluminescence (PL) measurements which revealed that the energy bandgap of prepared films were in the UV emission at 380 nm. Finally, thickness of the films was measured with Filmetric (F-20). Our findings were the fabricated ZnO films are successful in simple and low cost method with high quality and unexpected nanostructure behavior. Good current-voltage behavior with high conversion efficiency of 14.5 % has been obtained.

في هذا البحث تم ترسيب أوكسيد الخارصينِ (ZnO) على السيليكونِ البلّوريِ ((c-Si بواسطة منظومة الترسيب (RF sputtering) لصناعة خلية شمسية. دَرستْ الخصائص التركيبية لغشاء ZnO بأستعمال اشعه سينية عالية الوضوحية (HRXRD) لتحليل الاغشية والذي بين بأن الاغشية لَها طبيعةُ polycrystalline)) بالتوجيهِ (002). الحجم البلوري الصغير للأفلامِ المُحَضّرةِ تم حسابه بأستعمال صيغةِ Scherrir والتي تُشيرُ إلىان الاغشية المرسبه هي ضمن مِقياسِ النانو. بالإضافة، الى الخصائص البصرية عُمِلتْ عن طريق استعمال جهاز مَسْح المجهر الألكترونِي (SEM) االذي يُستَعملُ لوَصْف السطح, وتم استخدام مقياس Photoluminescence (PL))) لمعرفة فجوة الطاقةَ للأفلامِ المُحَضّرةِ والتي كَانتْ في المنطقة UV في 380 nm. أخيراً، قِيسَ سُمك الأفلامِ بواسطة ((Filmetric (F-20). وفق هذه النتائج فان ترسيب اغشية ZnO تمت بنجاح وبكلفةِ بسيطةِ ومنخفضةِ بطريقة التركيب النانوي عالي النوعية. امكن الحصول على فولطيةِ وتيار عاليين وبكفاءةِ تحويلِ وصلت الى 14.5 %. ER -