TY - JOUR ID - TI - Characteristics of Nanostructure Porous Silicon Prepared by Anodization Technique توصيف السليكون المسامي النانوي المحضر بالتقنية الانودية AU - Ayoub H. Jaafar AU - Uday M. Nayef PY - 2013 VL - 31 IS - 3 Part (B) Scientific SP - 339 EP - 347 JO - Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا SN - 16816900 24120758 AB - Porous silicon (PS) layers are prepared by anodization for different current densities. The samples are then characterized the nanocrystalline porous silicon layer by X-Ray Diffraction (XRD), Atomic Force Microscopy (AFM), Fourier Transform Infrared (FTIR), Reflectivity and Raman. PS layers were formed on a p-type Si wafer. anodized electrically with a 10 and 40 mA/cm2 current density for fixed 20 min etching times.We have estimated crystallites size from X-Ray diffraction about nanoscale for porous silicon and AFM confirms the nanometric size and therefore optical properties about nanocrystalline silicon yields a Raman spectrum showing a broadened peak shifted below 520 cm-1.

حضرت طبقات السليكون المسامي بالتقنية الانودية لكثافة تيار مختلفة. درست خصائص طبقات السليكون المسامي نانوية التركيب مثل الصفات التركيبية والمورفولوجية والكيميائية و البصرية (الانعكاسية ورامان). طبقات السليكون المسامي كونت على شرائح سليكون من النوع القابل. وكانت كثافة التيار المستخدم بتقنية الانودية هو 10 و 40 ملي امبير/سم2 وزمن تنميش ثابت 20 دقيقة.وجد ان الحجم البلوري من خلال قياسات حيود الاشعة السينية هو الحجم النانوي للسليكون المسامي و فحوصات مجهر القوة الذري اثبت ذلك وكذلك من الصفات البصرية حول التركيب النانوي للسليكون هو طيف رامان اظهر توسع وازاحة القمة عند 520 سم-1. ER -