@Article{, title={Laser Processing For Nanoscale Size Quantum Wires of AlGaAs/GaAs عملية الليزر للمقاس النانوي في الاسلاك الكمية لـAlGaAs/GaAs}, author={Mohammed HamadJassam محمد حمد جسام and Ebtisam M-T. Salman ابتسام محمد تقي سلمان and Ahlam H. Jaffer احلام حسين جعفر}, journal={Journal of university of Anbar for Pure science مجلة جامعة الانبار للعلوم الصرفة}, volume={7}, number={2}, pages={124-130}, year={2013}, abstract={In this work we investigate and calculate theoretically the variation in a number of optoelectronic properties of AlGaAs/GaAs quantum wire laser, with emphasis on the effect of wire radius on the confinement factor, density of states and gain factor have been calculated. It is found that there exist a critical wire radius (rc) under which the confinement of carriers are very weak. Whereas, above rc the confinement factor and hence the gain increase with increasing the wire radius.

في هذا العمل تم التحقق بالحساب النظري للتغيير في عدد من الخواص الالكتروبصرية لليزر السلك الكمي لAlGaAs/GaAs))، وقد تم التاكيد على حساب تاثير نصف قطر السلك على عامل الحصر ، كثافة الحالات، وعامل الكسب. لقد وجدنا ان هناك قيمة حرجة (r_c) لنصف قطر السلك ، يكون تحتها حصر الحاملات ضعيف جدا. في حين، عندما تكون القيمة اعلى منها يزداد عامل الحصر وبذلك يزداد الكسب مع زيادة نصف قطر السلك.} }