TY - JOUR ID - TI - Laser Processing For Nanoscale Size Quantum Wires of AlGaAs/GaAs عملية الليزر للمقاس النانوي في الاسلاك الكمية لـAlGaAs/GaAs AU - Mohammed HamadJassam محمد حمد جسام AU - Ebtisam M-T. Salman ابتسام محمد تقي سلمان AU - Ahlam H. Jaffer احلام حسين جعفر PY - 2013 VL - 7 IS - 2 SP - 124 EP - 130 JO - Journal of university of Anbar for Pure science مجلة جامعة الانبار للعلوم الصرفة SN - 19918941 27066703 AB - In this work we investigate and calculate theoretically the variation in a number of optoelectronic properties of AlGaAs/GaAs quantum wire laser, with emphasis on the effect of wire radius on the confinement factor, density of states and gain factor have been calculated. It is found that there exist a critical wire radius (rc) under which the confinement of carriers are very weak. Whereas, above rc the confinement factor and hence the gain increase with increasing the wire radius.

في هذا العمل تم التحقق بالحساب النظري للتغيير في عدد من الخواص الالكتروبصرية لليزر السلك الكمي لAlGaAs/GaAs))، وقد تم التاكيد على حساب تاثير نصف قطر السلك على عامل الحصر ، كثافة الحالات، وعامل الكسب. لقد وجدنا ان هناك قيمة حرجة (r_c) لنصف قطر السلك ، يكون تحتها حصر الحاملات ضعيف جدا. في حين، عندما تكون القيمة اعلى منها يزداد عامل الحصر وبذلك يزداد الكسب مع زيادة نصف قطر السلك. ER -