TY - JOUR ID - TI - Analytical Study of near Mobility Edge Density of States of Hydrogenated Amorphous Silicon دراسة تحليلية لكثافة الحالات للسليكون العشوائي المهدرج قرب حافة التحركية AU - Abdullah Ibrahim Abbo عبدالله ابراهيم عبو PY - 2014 VL - 11 IS - 3 SP - 1243 EP - 1249 JO - Baghdad Science Journal مجلة بغداد للعلوم SN - 20788665 24117986 AB - Experimental results for the density of states of hydrogenated amorphous silicon due to Jackson et al near the valence and conduction band edges were analyzed using Levenberg-Marquardt nonlinear fitting method. It is found that the density of states of the valence band and the conduction band can be fitted to a simple power law, with a power index 0.60 near the valence band edge, and 0.55 near the conduction band edge. These results indicate a modest but noticeable deviation from the square root law (power index=0.5) which is found in crystalline semiconductors. Analysis of Jackson et al density of states integral J(E) data over about (1.4 eV) of photon energy range, showed a significant fit to a simple power law with a power index of 2.11 close to that predicted from the density of states fitting results 2.15

تم تحليل النتائج التجريبية لكثافة الحالات للسليكون العشوائي المهدرج لجاكسون وجماعته قرب حافتي التكافؤ و التوصيل باستخدام طريقة ليفينبرك وماركوارد للموائمة غير الخطية. لقد وجد ان توزيع كثافة الحالات قرب حافتي حزمة التكافؤ والتوصيل يتوائم مع قانون قوى بسيط بمعامل قوى 0.60 لحزمة التكافؤ و 0.55 لحزمة التوصيل. هذه النتائج تشير الى انحراف معتدل لكن ملحوظ عن قانون الجذر التربيعي (معامل قوى0.5 ) الذي ينطبق في اشباه الموصلات البلورية.تم تحليل بيانات حاكسون وجماعته لتكامل كثافة الحالات J(E) في مدى يغطي1.4 eV من طاقة الفوتون وقد اظهرت النتائج توائما جيدا مغ قانون قوى بسيط بمعامل قوى 2.11 قريبا من ذلك المتوقع من نتائج الموائمة مع بيانات كثافة الحالات 2.15 . ER -