TY - JOUR ID - TI - Structural and Electrical Properties Dependence on Annealing Temperature of Bi Thin Films اعتماد الخواص التركيبية والكهربائية على حرارة التلدين لأغشية البزموث AU - Fatin. G. Hachim فاتن گاصد حاچم PY - 2014 VL - 11 IS - 3 SP - 1257 EP - 1260 JO - Baghdad Science Journal مجلة بغداد للعلوم SN - 20788665 24117986 AB - In this work the effect of annealing temperature on the structure and the electrical properties of Bi thin films was studied, the Bi films were deposited on glass substrates at room temperature by thermal evaporation technique with thickness (0.4 µm) and rate of deposition equal to 6.66Å/sec, all samples are annealed in a vacuum for one hour. The X-ray diffraction analysis shows that the prepared samples are polycrystalline and it exhibits hexagonal structure. The electrical properties of these films were studied with different annealing temperatures, the d.c conductivity for films decreases from 16.42  10-2 at 343K to 10.1110-2 (.cm)-1 at 363K. The electrical activation energies Ea1 and Ea2 increase from 0.031 to 0.049eV and from 0.096 to 0. 162 eV with increasing of annealing temperature from 343K to 363K, respectively. Hall measurements showed that all the films are p-type.

في هذا البحث تم دراسة تاثير التلدين على الخصائص التركيبية والكهربائيــة لأغشية Bi ,المحضرت بتقنية التبخير الحراري على أرضيات زجاجية بدرجة حرارة الغرفـة مع سمك ( mµ0.4) و معدل ترسيب 6.66Å/sec. لدنت هذه الأغشية بدرجات حرارة)K 363 , (343 لمدة ساعة .أظهرت نتائج XRD أن جميع الأغشية متعددة التبلور ولها تركيب سداسي. درست الخصائص الكهربائيــة للأغشية المحضرة بتغير درجة حرارة التلدين اذ وجد ان التوصيلية الكهربائية المستمرة تقل من (.cm)-1 16.42 10-2 عند درجة حرارة (K (343 الى(.cm)-1 10.1110-2عند درجة حرارة ) K 363) ،أزدادت طاقات التنشيط الكهربائية (Ea2), (Ea1) منeV) 0.031) الى eV) (0.049و من (0.096 eV) الى eV) 0.162 (بزيادة درجة حرارة التلدين من 343K الى 363K,على التتالي . بينت قياسات هول أن جميع الاغشية هي من النوع القابل. ER -