TY - JOUR ID - TI - A Theoretical Study of Charge Transport y atAu/ ZnSe and Au/ZnSInterfaces Devices دراسة نظرية لأنتقال الشحنة لنظام سطح معدن/ شبه موصل AU - Hadi J.M.Al-Agealy هادي جبار مجبل العكيلي AU - Mohsin A.H.Hassoni محسن عنيد حسوني AU - MudharSh.Ahmad مظهر شهاب احمد AU - Rafah I.Noori رفاه اسماعيل نوري AU - Sarab S.Jheil سراب سعدي جحيل PY - 2014 VL - 27 IS - 1 SP - 176 EP - 187 JO - Ibn Al-Haitham Journal For Pure and Applied Sciences مجلة ابن الهيثم للعلوم الصرفة والتطبيقية SN - 16094042 25213407 AB - A quantum mechanical description of the dynamics of non-adiabatic electron transfer in metal/semiconductor interfaces can be achieved using simplified models of the system. For this system we can suppose two localized quantum states donor state |D› and acceptor state |A› respectively. Expression of rate constant of electron transfer for metal/semiconductor system derived upon quantum mechanical model and perturbation theory for transition between |├ D〉 and |├ A〉 state when the coupling matrix element coefficient is smaller than0.025eV. The rate of electron transfer for Au/ ZnSe and Au/ZnS interface systemsis evaluated with orientation free energy using aMatlap program. The results of the electron transfer rate constant are calculatedfor our modeas well as with experimental results .

الوصف الكمي لحركية الانتقال الالكتروني غير الكظيم عند سطحي نظام معدن-شبه موصل أعتمد باستعمال أنموذج مبسط للنظام .افترضنا حالتين كميتين متمركزتينلهذا النظام هما حالة المانح< |Dوحالة المستقبل|A> على التتابع.علاقة ثابت معدل الانتقال الالكتروني لنظام سطح معدن-شبه موصل اشتقت تبعا" لانموذج ميكانيك كمي ونظرية الاضطراب للانتقال مابين حالتي المانح-المستقبل عندما تكون معامل مصفوفة عناصر الازدواج اقل بكثير من kBT .معدل الانتقال الالكتروني حسبت مع الطاقة الحرة لاعادة التوصيل باستعمال برنامج ماتلاب.حسابات معدل الانتقال الالكتروني قورنت مع نتائج عملية. وأظهرت تطابقا" جيدا" مع نتائج الانموذج. ER -