Fulltext

Preparation and Characterization of Chemical Bath Deposition synthesis CdS Nanocrystalline Thin Films

تحضيراغشية CdS النانوية بطريقة الترسيب بالحمام الكيميائي ودراسة خصائصها

H. F. Al-Taay هناء فليح الطائي

Iraqi Journal of Science المجلة العراقية للعلوم
ISSN: 00672904/23121637 Year: 2017 Volume: 58 Issue: 1C Pages: 454-461
Publisher: Baghdad University جامعة بغداد

Abstract

Cadmium sulfide (CdS) nanocrystalline thin films are prepared onto ITO-glass and Si(111) substrates by chemical bath deposition method. The scanning electron microscope images showed that the CdS thin film onto Si substrate is more homogenous without vacancies. The XRD patterns of the CdS nanocrystalline thin film confirm that they have polycrystalline with cubic phase. Room temperature photoluminescence (PL) spectrum of the CdS nanocrystalline thin films shows emission band located at 502nm for CdS/Si sample while the CdS/ITO-glass thin films shows a broad emission band peaked at 505nm. The Raman spectra of CdS nanocrystalline thin films prepared onto Si and ITO-glass substrates contain two main peaks which are corresponding to the first and second-order longitudinal optical (LO) phonon modes.

حضرت اغشية المركب CdS نانوية التركيب علىى قواعد ITO-glass و(111) Si بطريقة الترسيب بالحمام الكيمائي. اظهرت صور المجهر الالكتروني الماسح ان اغشية المركب المرسبة على السليكون كانت اكثر تجانسا وقليلة الفراغات. انماط حيود الاشعة السينية بينت ان الاغشية المحضرة كانت متعددة التبلور وبتركيب مكعب. طيف الانبعاثية الضوئيةPL)) لاغشية CdS/Si تمركز عند الطول الموجي 502 نانومتر بينما كان طيف الانبعاثية عريضا لاغشية المركب CdS/ITO مع التمركز عند الطول الموجي 505 نانومتر. انماط رامان لكلا النموذجين المحضرين على قواعد Si وقواعد ITO اظهرت قمتان رئيستان تعودان للنمطين الاول والثاني من الدرجة الطولية لنمط ضوئية-صوتية.

Keywords

Nanocrystallin materials --- CdS --- Photoluminescence spectra --- Thin films --- Chemical bath deposition.